公开(公告)号：EP1742227A1

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：EP06011016.0

申请日：2006-05-29

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Schoenauer, Tim ,  Niedermeier, Thomas ,  Kund, Michael ,  Berthold, Joerg

IPC分类号： G11C14/00

CPC分类号： G11C14/009 ,  G11C13/0004

摘要： Die nichtflüchtige Speicherzelle weist ein flüchtiges Speichermittel (INV1, INV2) zur Speicherung einer binären Information auf. Ferner umfasst die Speicherzelle lediglich ein einziges programmierbares Widerstandselement (R1) zum nichtflüchtigen Sichern der gespeicherten Information sowie ein Mittel (SW3, SW4) zum Sichern der Information in dem Widerstandselement. Außerdem ist ein Mittel (SW1, SW2) zum Wiederabrufen der gesicherten Information vorhanden.

摘要翻译： 该单元包括由用于二进制信息的易失性存储的两个交叉耦合的反相器（INV1，INV2）实现的双稳态触发器。 二进制信息以存储节点（K1，K2）的电位的形式存储。 单个二进制可编程电阻（R1）在转换到掉电模式期间保护存储在触发器中的信息。 提供两个开关（Sw3，Sw4）用于固定二进制信息，其中开关分别用于PC复位操作和保存操作。 开关（Sw1，Sw2）用于从电阻中检索二进制信息。 还包括用于包括非易失性存储单元的移位寄存器的独立权利要求。

公开(公告)号：EP1630817A3

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：EP05106903.7

申请日：2005-07-27

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Liaw, Corvin ,  Röhr, Thomas ,  Kund, Michael

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C16/02

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/78 ,  G11C2213/79

摘要： Die Erfindung betrifft eine resistive Speicheranordnung mit einem in Reihen und Spalten gegliederten Zellenfeld (A) aus resistiven Speicherzellen, die zur Ansteuerung mit einem Ansteuerelement (T) verbunden sind, und ist dadurch gekennzeichnet, dass jedes Ansteuerelement (T) gemeinsam mit n eine Speicherzelle (Z) bildenden Zellenwiderständen (Rc) verbunden ist, wobei die Zellenwiderstände insbesondere CBRAM-Widerstandselemente sind, sowie ein Schreib-, Lese- und Löschverfahren für eine mit CBRAM-Widerstandselementen realisierten resistiven Speicheranordnung.

摘要翻译： 本发明涉及一种具有在被连接以与驱动元件（T）驱动的电阻存储单元的行和列单元阵列（A）的结构化的电阻式存储器装置，其特征在于，每个驱动元件（T），与N一起的存储器单元（ Z）形成细胞电阻（RC）连接，其中所述细胞的电阻CBRAM电阻元件，特别是，还有一个写，读取和擦除方法，用于一与CBRAM电阻元件来实现电阻性存储器阵列。

公开(公告)号：EP1630817A2

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：EP05106903.7

申请日：2005-07-27

申请人： Infineon Technologies AG

发明人： Liaw, Corvin ,  Röhr, Thomas ,  Kund, Michael

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/78 ,  G11C2213/79

摘要： Die Erfindung betrifft eine resistive Speicheranordnung mit einem in Reihen und Spalten gegliederten Zellenfeld (A) aus resistiven Speicherzellen, die zur Ansteuerung mit einem Ansteuerelement (T) verbunden sind, und ist dadurch gekennzeichnet, dass jedes Ansteuerelement (T) gemeinsam mit n eine Speicherzelle (Z) bildenden Zellenwiderständen (Rc) verbunden ist, wobei die Zellenwiderstände insbesondere CBRAM-Widerstandselemente sind, sowie ein Schreib-, Lese- und Löschverfahren für eine mit CBRAM-Widerstandselementen realisierten resistiven Speicheranordnung.

摘要翻译： CBRAM（导电桥接RAM）类型的电阻式固态存储器具有连接到公共场效应晶体管FET [T]的电阻元件组[Rc]，以形成1T4R布置。 耦合到控制晶体管的电阻元件的数量取决于地址，写入，读取和擦除连接。 对于该组，有位和字线连接到FET。