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1.发明公开Speicherbauelement (CBRAM) mit Speicherzellen auf der Basis eines in seinem Widerstandswert änderbaren aktiven Festkörper-Elektrolytmaterials und Herstellungsverfahren dafür 审中-公开存储器装置（CBRAM）具有可变的在它们的电阻值活性固体电解质材料和制造方法的基础上的存储单元
公开(公告)号：EP1630880A3
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：EP05107162.9
申请日：2005-08-03
发明人： Symanczyk, Ralf , Röhr, Thomas
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/143 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/1675 , Y10S438/90
摘要： Die Erfindung betrifft ein Speicherbauelement (CBRAM) mit Speicherzellen (1) auf der Basis eines in seinem Widerstandswert änderbaren aktiven Festkörper-Elektroytmaterials (13), das, eingebettet zwischen einer unteren und oberen Elektrode (BE, TE) durch Anlegen eines geeigneten elektrischen Feldes zwischen diesen Elektroden zwischen einem Ein-Zustand mit einem geringen Widerstand und einem Aus-Zustand mit einem dem gegenüber hohen Widerstand schaltbar ist, das dadurch gekennzeichnet ist, dass parallel zum Festkörper-Elektrolytmaterial (13) zwischen den Elektroden (BE, TE) ein Widerstandsmaterial (10) eingebettet ist, und ein vorteilhaftes Herstellungsverfahren dafür.
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2.发明公开Verfahren und Vorrichtung zur Ansteuerung von Festkörper-Elektrolytzellen 审中-公开Verfahren und Vorrichtung zur Ansteuerung vonFestkörper-Elektrolytzellen
公开(公告)号：EP1688958A1
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：EP06001012.1
申请日：2006-01-18
发明人： Pinnow, Cay-Uwe , Symanczyk, Ralf
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/008 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1286 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/146
摘要： Die Erfindung schafft eine elektrische Schaltvorrichtung, bei der eine elektrische Durchschaltung mittels eines Aufbaus eines Leitungspfads (101) in einem Schaltelement (100) herbeigeführt wird, wobei das Schaltelement (100) eine erste Elektrodeneinheit (201), eine zweite Elektrodeneinheit (202) und eine zwischen den ersten und zweiten Elektrodeneinheiten (201, 202) angeordnete und mit diesem kontaktierte Elektrolytschicht (203) aufweist. Der Leitungspfad (101) wird zwischen der ersten Elektrodeneinheit (201) und der zweiten Elektrodeneinheit (202) über die Elektrolytschicht (203) durch aus der ersten Elektrodeneinheit (201) in die Elektrolytschicht (203) diffundierte Leitungselemente (102) gebildet, wobei eine Heizeinrichtung (400) das Schaltelement (100) während des Schaltvorgangs aufheizt.
摘要翻译： 装置（100）具有两个电极单元，电极膜之间布置并接触。 通过从电极单元之一扩散到电解质层中的线段在电解质膜之间的电极单元之间形成传导路径。 加热装置（400）在切换操作期间加热装置，并且由固态电解质材料制成。 还包括：（a）用于控制固体电解质电池的切换方法（b）包括开关单元阵列的存储单元阵列。
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3.发明公开Method for operating a PMC memory and CBRAM memory circuit 有权Verfahrenfürden Betrieb eines PMC-Speichers und CBRAM-Schaltung
公开(公告)号：EP1727151A1
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：EP06007543.9
申请日：2006-04-11
发明人： Liaw, Corvin , Symanczyk, Ralf
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0011 , G11C13/0033 , G11C16/3431 , G11C2013/009 , G11C2213/79
摘要： The present invention relates to a method for operating a PMC memory cell for use in a CBRAM memory array, wherein the PMC memory cell includes a solid electrolyte which is adapted to selectively develop and diminish a conductive path depending on an applied electrical field. The PMC memory cell is programmed to change to a programmed state by applying a programming voltage, and the PMC memory cell is erased to change to an erased state by applying an erase voltage. A refresh voltage is applied to the PMC memory cell at a predetermined time to stabilize the programmed state of the PMC memory cell, wherein the refresh voltage is selected such as that, while applying the refresh voltage, a programming of the PMC memory cell in the erased state to a programmed state is prevented, and that, by applying the refresh voltage, a stabilizing of the programmed state of the PMC memory cell is performed.
摘要翻译： 本发明涉及一种用于操作用于CBRAM存储器阵列的PMC存储单元的方法，其中PMC存储单元包括固体电解质，该固体电解质适于根据所施加的电场选择性地显影和减少导电路径。 通过应用编程电压将PMC存储单元编程为改变为编程状态，并通过施加擦除电压擦除PMC存储单元以改变为擦除状态。 在预定时间对PMC存储单元施加刷新电压以稳定PMC存储单元的编程状态，其中选择刷新电压，例如，在施加刷新电压时，在PMC存储单元的编程中 防止擦除状态到编程状态，并且通过施加刷新电压，执行PMC存储器单元的编程状态的稳定。
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4.发明公开Speicherbauelement (CBRAM) mit Speicherzellen auf der Basis eines in seinem Widerstandswert änderbaren aktiven Festkörper-Elektrolytmaterials und Herstellungsverfahren dafür 审中-公开存储器装置（CBRAM）具有可变的在它们的电阻值活性固体电解质材料和制造方法的基础上的存储单元
公开(公告)号：EP1630880A2
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：EP05107162.9
申请日：2005-08-03
发明人： Symanczyk, Ralf , Röhr, Thomas
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/143 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/1675 , Y10S438/90
摘要： Die Erfindung betrifft ein Speicherbauelement (CBRAM) mit Speicherzellen (1) auf der Basis eines in seinem Widerstandswert änderbaren aktiven Festkörper-Elektroytmaterials (13), das, eingebettet zwischen einer unteren und oberen Elektrode (BE, TE) durch Anlegen eines geeigneten elektrischen Feldes zwischen diesen Elektroden zwischen einem Ein-Zustand mit einem geringen Widerstand und einem Aus-Zustand mit einem dem gegenüber hohen Widerstand schaltbar ist, das dadurch gekennzeichnet ist, dass parallel zum Festkörper-Elektrolytmaterial (13) zwischen den Elektroden (BE, TE) ein Widerstandsmaterial (10) eingebettet ist, und ein vorteilhaftes Herstellungsverfahren dafür.
摘要翻译： 导电桥RAM（CBRAM）包括嵌入在两个电极（BE，TE）施加给定的导通电阻状态OFF高和低电阻之间切换的电场之间可变电阻的活性固体电解质（13）的基极上的存储器单元。 电阻材料（10）被嵌入平行于电解液中的电极之间。 因此独立claimsoft被包括用于在上述的制造方法。
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