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    MOS transistor and manufacturing method of the same
    1.
    发明公开
    MOS transistor and manufacturing method of the same 失效
    MOS晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：EP0781986A3

    公开(公告)日：1997-07-09

    申请号：EP96120383.3

    申请日：1996-12-18

    申请人： Insitec Measurement Systems

    发明人： Harvill, Thomas L. ,  Holve, Donald J.

    IPC分类号： G01N15/02

    CPC分类号： G01N15/0211 ,  G01N2021/4716

    摘要： A method applicable to an ensemble laser diffraction (ELD) instrument computes a particle size distribution in real time after correction for the multiple scattering phenomena. In one embodiment, a numerical method, similar to the Newton's method, is provided to iteratively calculate the single scattering mode. The present method is hence suitable for use, with high accuracy, in real time controlling and monitoring applications.

    摘要翻译： 适用于集成激光衍射（ELD）仪器的方法在对多次散射现象进行校正之后实时计算粒度分布。 在一个实施例中，提供类似于牛顿方法的数值方法来迭代地计算单个散射模式。 因此，本方法适用于高精度的实时控制和监测应用。

    MOS transistor and manufacturing method of the same
    2.
    发明公开
    MOS transistor and manufacturing method of the same 失效
    一种用于确定在多个散射的存在粒子的大小的方法

    公开(公告)号：EP0781986A2

    公开(公告)日：1997-07-02

    申请号：EP96120383.3

    申请日：1996-12-18

    申请人： Insitec Measurement Systems

    发明人： Harvill, Thomas L. ,  Holve, Donald J.

    IPC分类号： G01N15/02

    CPC分类号： G01N15/0211 ,  G01N2021/4716

    摘要： A method applicable to an ensemble laser diffraction (ELD) instrument computes a particle size distribution in real time after correction for the multiple scattering phenomena. In one embodiment, a numerical method, similar to the Newton's method, is provided to iteratively calculate the single scattering mode. The present method is hence suitable for use, with high accuracy, in real time controlling and monitoring applications.

    摘要翻译： 颗粒尺寸的测量方法包括测量散射签名S m和分配给初始值作为用于单次散射签名S 1的电流值的步骤。 使用当前的值，迭代地执行，直到预定的收敛判据被满足，的步骤：（a）计算使用所述单次散射签名S 1的所述电流值的散射再分配函数H的当前值。 （B）计算的多次散射P N的几个概率，每个表示n的光合速率概率究竟散射事件，n为计算预测的多次散射签名SMP的整数大于或等于1（c）中。