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公开(公告)号：EP0070533A3
公开(公告)日：1985-01-30
申请号：EP82106401
申请日：1982-07-16
发明人： Dougherty, William Edwin, Jr. , Greer, Stuart Eugene , Nestork, William John , Norris, William Tilden
IPC分类号： H01L23/52
CPC分类号： H01L23/5385 , H01L2224/16225 , H01L2924/15312
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公开(公告)号：EP0070533A2
公开(公告)日：1983-01-26
申请号：EP82106401.1
申请日：1982-07-16
发明人： Dougherty, William Edwin, Jr. , Greer, Stuart Eugene , Nestork, William John , Norris, William Tilden
IPC分类号： H01L23/52
CPC分类号： H01L23/5385 , H01L2224/16225 , H01L2924/15312
摘要： Es wird ein aus streifenförmigen Lamellen (12) zusammengesetztes Substrat (10) für Halbleiterchips beschrieben, in dessen Inneren zwei Gruppen von Leiterzügen (14a, 14c; 14d) jeweils auf den Vorderseiten der Lamellen verlaufen. Die Leiterzüge (14a, 14c) der ersten Gruppe beginnen und enden auf der oberen Fläche des Substrates, die der zweiten Gruppe erstrecken sich von der oberen zur unteren Fläche des Substrates und führen an Verbindungsstifte (36). Die Leiterzugsenden sind in sich in Längsrichtung des Substrates wiederholenden Mustern (20) angeordnet, die durch von Leiterzugsenden freie Streifen (22) getrennt sind. Diese dienen der Unterbringung der Oberflächenmetallisierung (26). Die Leiterzüge erstrecken sich zum Teil innerhalb eines Musters, zum Teil dienen sie der Verbindung mit benachbarten Mustern. In einem Muster können verschiedene Halbleiterchips angeordnet werden.
摘要翻译： 1.一种用于半导体芯片的基板，其中a）在内部提供两组导体（14a，14c; 14d）b）在基板（10）c的表面上开始和结束的第一组的导体（14a，14c） ）第二组的导体（14d）从衬底的上表面延伸到下表面并导通到连接器引脚（36）d）导体端部沿图案（20）布置，沿着衬底的纵向方向重复， 所述图案由条（22）分开，而不具有上基板表面的导体端e）第一组的导体（14c）的一部分在导体端部的图案内延伸，其特征在于，f）导体的另一部分 第一组用于相邻图案的连接g）部分导体端经由表面金属化（26）连接到用于半导体芯片的焊盘（24），以及相邻图案的另一部分到导体端，并且h） 一种行为模式 端部可以接收多个不同的半导体芯片并将它们连接到相同图案或相邻图案中的其它半导体芯片。
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公开(公告)号：EP0320660B1
公开(公告)日：1994-02-16
申请号：EP88119363.5
申请日：1988-11-22
CPC分类号： H01L21/67121 , H01L23/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：EP0070533B1
公开(公告)日：1987-12-23
申请号：EP82106401.1
申请日：1982-07-16
发明人： Dougherty, William Edwin, Jr. , Greer, Stuart Eugene , Nestork, William John , Norris, William Tilden
IPC分类号： H01L23/52
CPC分类号： H01L23/5385 , H01L2224/16225 , H01L2924/15312
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公开(公告)号：EP0320660A3
公开(公告)日：1989-08-09
申请号：EP88119363.5
申请日：1988-11-22
CPC分类号： H01L21/67121 , H01L23/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A full wafer packing technique for semiconductor devices is provided. The semiconductor wafer (12) is mounted on a substrate (10) wherein the coefficient of thermal expansion of the substrate is matched to that of the wafer. The wafer is also provided with at least one bus member (26) extending across the surface of the wafer to provide voltage power to the devices. Further, the packaging includes a cover (38), and a solid dielectric thermally conducting material (44) which is disposed between and the wafer and substrate and fills the space between the cover and wafer and substrate.
摘要翻译： 提供了用于半导体器件的完整晶圆封装技术。 半导体晶片（12）安装在衬底（10）上，其中衬底的热膨胀系数与晶片的热膨胀系数相匹配。 晶片还设有至少一个延伸穿过晶片表面的总线构件（26），以向器件提供电压功率。 此外，封装包括盖（38）和固体介电导热材料（44），该固体介电导热材料布置在晶片和基板之间并且填充盖和晶片与基板之间的空间。
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公开(公告)号：EP0320660A2
公开(公告)日：1989-06-21
申请号：EP88119363.5
申请日：1988-11-22
CPC分类号： H01L21/67121 , H01L23/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A full wafer packing technique for semiconductor devices is provided. The semiconductor wafer (12) is mounted on a substrate (10) wherein the coefficient of thermal expansion of the substrate is matched to that of the wafer. The wafer is also provided with at least one bus member (26) extending across the surface of the wafer to provide voltage power to the devices. Further, the packaging includes a cover (38), and a solid dielectric thermally conducting material (44) which is disposed between and the wafer and substrate and fills the space between the cover and wafer and substrate.
摘要翻译： 提供半导体器件的全晶圆封装技术。 半导体晶片（12）安装在衬底（10）上，其中衬底的热膨胀系数与晶片的热膨胀系数相匹配。 晶片还设置有延伸跨越晶片表面的至少一个总线构件（26），以向器件提供电压电力。 此外，该包装包括盖子（38）和固体电介质热传导材料（44），该固体电介质热传导材料（44）设置在晶片和基底之间并填充盖子与晶片和基底之间的空间。
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