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发明公开
MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY WITH LATERALLY-RECESSED FREE LAYER 审中-公开

公开(公告)号：EP4264692A1

公开(公告)日：2023-10-25

申请号：EP21831285.8

申请日：2021-12-07

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： VAN DER STRATEN, Oscar , MOTOYAMA, Koichi , CHENG, Kenneth, Chun Kuen , MANISCALCO, Joseph , YANG, Chih-Chao

IPC分类号： H01L43/08 , G11C11/16 , H01L43/12