专利检索 ap:("International Business Machines Corporation") AND inv:"HASHEMI, Pouya" 第 1 页

1.

发明公开
ON-CHIP INTEGRATION OF A HIGH-EFFICIENCY AND A HIGH-RETENTION INVERTED WIDE-BASE DOUBLE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE 审中-实审

公开(公告)号：EP4364542A1

公开(公告)日：2024-05-08

申请号：EP22732024.9

申请日：2022-05-20

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： HASHEMI, Pouya , KOTHANDARAMAN, Chandrasekara

IPC分类号： H10N59/00 , H10N50/10 , H10N52/01

CPC分类号： H10B61/00 , H10N50/01 , H10N50/10

2.

发明公开
MRAM STRUCTURE WITH ENHANCED MAGNETICS USING SEED ENGINEERING 审中-实审

公开(公告)号：EP4434308A1

公开(公告)日：2024-09-25

申请号：EP22809523.8

申请日：2022-11-09

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： HASHEMI, Pouya , SUN, Jonathan , HU, Guohan , ZARE, Saba

IPC分类号： H10N50/01 , H10N50/10 , H10N50/80

CPC分类号： H10N50/01 , H10N50/10 , H10N50/80

3.

发明公开
MAGNETIC TUNNEL JUNCTION PILLAR FORMATION FOR MRAM DEVICE 审中-公开

公开(公告)号：EP4445702A1

公开(公告)日：2024-10-16

申请号：EP22817740.8

申请日：2022-11-16

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： WU, Heng , HASHEMI, Pouya , XIE, Ruilong , FROUGIER, Julien

IPC分类号： H10B61/00

4.

发明公开
DOUBLE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE 审中-实审

公开(公告)号：EP4381915A1

公开(公告)日：2024-06-12

申请号：EP22758162.6

申请日：2022-07-27

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： HASHEMI, Pouya , KOTHANDARAMAN, Chandrasekara , MARCHACK, Nathan

IPC分类号： H10N50/80 , H10N50/10 , H10N50/01

CPC分类号： H10N50/80 , H10N50/01 , H10N50/10