公开(公告)号：EP0982777A1

公开(公告)日：2000-03-01

申请号：EP99306023.5

申请日：1999-07-29

申请人： International Business Machines Corporation ,  SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： Hoenigschmid, Heinz ,  Netis, Dmitry

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/108 ,  H01L27/105

摘要： An arrangement of enhanced drivability transistors is disclosed herein which includes a plurality of conductor patterns, wherein the conductor patterns include ring-shaped portions which enclose device diffusion contacts and the ring-shaped portions form the gate conductors of insulated gate field effect transistors (IGFETs).

摘要翻译： 本文公开了一种增强的驱动力晶体管的布置，其包括多个导体图案，其中导体图案包括包围器件扩散接触的环形部分，并且环形部分形成绝缘栅场效应晶体管（IGFET）的栅极导体， 。

公开(公告)号：EP0982777B1

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：EP99306023.5

申请日：1999-07-29

申请人： International Business Machines Corporation ,  SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： Hoenigschmid, Heinz ,  Netis, Dmitry

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/108 ,  H01L27/105