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    Vapor-phase deposition apparatus and vapor-phase deposition method
    2.
    发明公开
    Vapor-phase deposition apparatus and vapor-phase deposition method 失效
    Vorrichtung und Verfahren zur Dampfphasenabscheidung。

    公开(公告)号：EP0448346A1

    公开(公告)日：1991-09-25

    申请号：EP91302357.8

    申请日：1991-03-19

    申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

    发明人： Sato, Yuusuke, c/o Intellectual Property Division ,  Ohmine, Toshimitsu, c/o Intellectual Property Div.

    IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/46

    CPC分类号： C23C16/45521 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/481 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/68785

    摘要： A vapor-phase deposition apparatus comprises substrate-supporting unit (4, 10, 11) for supporting a substrate (3), heater (6) for heating substrate-supporting unit (4, 10, 11), and gas-supplying unit (9) for supplying gas for forming a thin film on the substrate (3) supported by the substrate-supporting unit (4, 10, 11). The substrate-supporting unit (4, 10, 11) includes a first member (4) to be heated to a predetermined temperature by the heater (6), a second member (10) for supporting a peripheral part of the substrate (3), and a support member (11) for supporting the second member (10) on the first member (4) and located outside a periphery of the substrate (3).

    摘要翻译： 气相沉积装置包括用于支撑基板（3）的基板支撑单元（4,10,11），用于加热基板支撑单元（4,10,11）的加热器（6）和气体供应单元 9），用于在由基板支撑单元（4,10,11）支撑的基板（3）上提供用于形成薄膜的气体。 基板支撑单元（4,10,11）包括通过加热器（6）加热到预定温度的第一构件（4），用于支撑基板（3）的周边部分的第二构件（10） ，以及用于将所述第二构件（10）支撑在所述第一构件（4）上并位于所述基板（3）的外围的支撑构件（11）。