公开(公告)号：EP2715524A2

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：EP12715448.2

申请日：2012-02-17

申请人： Kabushiki Kaisha Toshiba, Inc.

发明人： NAGAI, Yuji ,  INOUE, Atsushi ,  TAKEYAMA, Yoshikazu

IPC分类号： G06F7/58

CPC分类号： G11C16/22 ,  G06F7/58 ,  G06F7/584

摘要： According to one embodiment, a semiconductor memory device includes a memory cell array including a plurality of memory cells, a random number generation circuit configured to generate a random number, and a controller configured to control the memory cell array and the random number generation circuit. The random number generation circuit includes a random number control circuit configured to generate a random number parameter based on data which is read out from the memory cell by a generated control parameter, and a pseudo-random number generation circuit configured to generate the random number by using the random number parameter as a seed value.

摘要翻译： 根据一个实施例，一种半导体存储装置包括：存储单元阵列，包括多个存储单元;随机数生成电路，被配置为生成随机数;以及控制器，被配置为控制存储单元阵列和随机数生成 电路。 随机数产生电路包括：随机数控制电路，被配置为基于通过产生的控制参数从存储器单元读出的数据产生随机数参数;以及伪随机数产生电路，被配置为通过以下方式产生随机数： 使用随机数参数作为种子值。