公开(公告)号：EP2589571A1

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：EP11800801.0

申请日：2011-06-27

申请人： Kobelco Research Institute , Inc. ,  Hyogo Prefecture

发明人： EHIRA, Masaya ,  NAMBU, Akira ,  KASHIWAI, Shigeo ,  FUKUZUMI, Masafumi

IPC分类号： C01B19/00 ,  B22F1/00 ,  B22F9/08 ,  C22C9/00 ,  C22C28/00 ,  C23C14/34

CPC分类号： C23C14/14 ,  C01B19/002 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/61 ,  C04B35/547 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/407 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C22C1/0491 ,  C22C9/00 ,  C22C28/00 ,  C22C30/00 ,  C22C30/02 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414

摘要： The present invention provides a Cu-In-Ga-Se powder containing Cu, In, Ga and Se in which cracks do not occur during sintering or processing, and a sintered body and sputtering target, each using the same. The present invention relates to a powder containing Cu, In Ga and Se, which contains a Cu-In-Ga-Se compound and/or a Cu-In-Se compound in an amount of 60 mass% or more in total. The powder of the present invention preferably contains an In-Se compound in an amount of 20 mass% or less and/or a Cu-In compound in an amount of 20 mass% or less.

摘要翻译： 本发明提供的Cu-的In-Ga-Se系粉末含有Cu，In，Ga和硒中哪裂纹不会烧结或处理过程中发生，并且烧结体和溅射靶，每个使用相同的。 本发明涉及含有铜，总在Ga和硒，其中包含的Cu-的In-Ga-Se系化合物和/或以在60质量％以上的量在Cu-In-Se系化合物的粉末。 本发明的粉末优选包含In-Se系化合物在质量以下和/或在质量以下的20％的量在Cu-In系化合物的20％的量。