公开(公告)号：EP2406267A2

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：EP10723389.2

申请日：2010-03-10

申请人： L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude

发明人： McANDREW, James, J. F. ,  ANDERSON, Curtis ,  DUSSARRAT, Christian

IPC分类号： C07F7/10

CPC分类号： C07F7/10 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02359

摘要： Disclosed herein are mono-functional silylating compounds that may exhibit enhanced silylating capabilities. Also disclosed are method of synthesizing and using these compounds. Finally methods to determine effective silylation are also disclosed.

摘要翻译： 本文公开了可表现出增强的甲硅烷基化能力的单官能甲硅烷基化化合物。 还公开了合成和使用这些化合物的方法。 最后还披露了确定有效甲硅烷基化的方法。

公开(公告)号：EP2406267B1

公开(公告)日：2019-02-20

申请号：EP10723389.2

申请日：2010-03-10

申请人： L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude

发明人： McANDREW, James, J. F. ,  ANDERSON, Curtis ,  DUSSARRAT, Christian

IPC分类号： C07F7/10

公开(公告)号：EP3158579A1

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：EP15808907.8

申请日：2015-06-17

申请人： L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude

发明人： SHEN, Peng ,  DUSSARRAT, Christian ,  GUPTA, Rahul ,  ANDERSON, Curtis ,  STAFFORD, Nathan ,  OMARJEE, Vincent M.

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/30655 ,  C09K13/00

摘要： Replacement chemistries for the cC4F8 passivation gas in the Bosch etch process and processes for using the same are disclosed. These chemistries have the formula CxHyFz, with 1 ≦x

摘要翻译： 披露了Bosch蚀刻工艺中用于cC4F8钝化气体的替换化学品及其使用方法。 这些化学成分具有式C x H y F z，其中1≤x<7,1≤y≤13和1≤z≤13。 替代化学物质可以减少与深硅孔蚀刻相关的RIE滞后。

公开(公告)号：EP2536867A2

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：EP11745219.3

申请日：2011-02-17

申请人： L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude

发明人： DUSSARRAT, Christian ,  DONIAT, François ,  ANDERSON, Curtis ,  MCANDREW, James J.F.

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/50 ,  C23C16/18 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02274

摘要： Disclosed are precursors that are adapted to deposit SiCOH films with dielectric constant and Young's Modulus suitable for future generation dielectric films.