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公开(公告)号:EP3158579A1
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:EP15808907.8
申请日:2015-06-17
发明人: SHEN, Peng , DUSSARRAT, Christian , GUPTA, Rahul , ANDERSON, Curtis , STAFFORD, Nathan , OMARJEE, Vincent M.
IPC分类号: H01L21/3065
CPC分类号: H01L21/30655 , C09K13/00
摘要: Replacement chemistries for the cC4F8 passivation gas in the Bosch etch process and processes for using the same are disclosed. These chemistries have the formula CxHyFz, with 1 ≦x
摘要翻译: 披露了Bosch蚀刻工艺中用于cC4F8钝化气体的替换化学品及其使用方法。 这些化学成分具有式C x H y F z,其中1≤x<7,1≤y≤13和1≤z≤13。 替代化学物质可以减少与深硅孔蚀刻相关的RIE滞后。
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公开(公告)号:EP3563406A1
公开(公告)日:2019-11-06
申请号:EP17889218.8
申请日:2017-12-29
发明人: SURLA, Vijay , GUPTA, Rahul , SUN, Hui , PALLEM, Venkateswara R. , STAFFORD, Nathan , MARCHEGIANI, Fabrizio , OMARJEE, Vincent M. , ROYER, James
IPC分类号: H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L27/115
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