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1.

发明授权
METHOD AND STRUCTURE OF GERMANIUM LASER ON SILICON 有权
标题翻译：硅衬底上锗激光的方法和结构

公开(公告)号：EP1952495B1

公开(公告)日：2017-12-06

申请号：EP06826799.6

申请日：2006-10-26

申请人： Massachusetts Institute of Technology (MIT)

发明人： LIU, Jifeng , PAN, Dong , KIMERLING, Lionel, C. , MICHEL, Jurgen , SAINI, Sajan

IPC分类号： H01S5/30 , H01S5/32 , H01S5/34

CPC分类号： H01S5/3427 , B82Y20/00 , H01S5/3086 , H01S5/3223

2.

发明公开
METHOD AND STRUCTURE OF GERMANIUM LASER ON SILICON 有权
标题翻译： VERFAHREN UND STRUKTUR VON GERMANIUMLASER AUF SILICIUM

公开(公告)号：EP1952495A2

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：EP06826799.6

申请日：2006-10-26

申请人： Massachusetts Institute of Technology (MIT)

发明人： LIU, Jifeng , PAN, Dong , KIMERLING, Lionel, C. , MICHEL, Jurgen , SAINI, Sajan

IPC分类号： H01S5/32

CPC分类号： H01S5/3427 , B82Y20/00 , H01S5/3086 , H01S5/3223

摘要： A laser structure includes at least one active layer having doped Ge so as to produce light emissions at approximately 1550nm from the direct band gap of Ge. A first confinement structure is positioned on a top region of the at least one active layer. A second confinement structure is positioned on a bottom region the at least one active layer.

摘要翻译： 激光结构包括至少一个具有掺杂Ge的有源层，以便从Ge的直接带隙产生大约1550nm的光发射。第一限制结构位于至少一个活性层的顶部区域上。第二限制结构位于至少一个活性层的底部区域上。