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发明公开
MEMORY DEVICE HAVING MEMORY CELL STRINGS AND SEPARATE READ AND WRITE CONTROL GATES 审中-实审

公开(公告)号：EP4378287A1

公开(公告)日：2024-06-05

申请号：EP22850431.2

申请日：2022-07-15

申请人： Micron Technology, Inc.

发明人： LIU, Haitao , KARDA, Kamal M. , FAYRUSHIN, Albert , DONG, Yingda

IPC分类号： H10B43/35 , H10B43/50 , H10B43/20 , H10B43/40 , G11C16/10 , G11C16/26

CPC分类号： H01L29/42344 , H10B43/27 , H10B43/20 , H01L29/40117