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1.

发明公开
MEMORY ARRAYS AND METHODS USED IN FORMING A MEMORY ARRAY 审中-公开

公开(公告)号：EP3912190A1

公开(公告)日：2021-11-24

申请号：EP19910513.1

申请日：2019-10-24

申请人： Micron Technology, Inc.

发明人： HOWDER, Collin , HALLER, Gordon A.

IPC分类号： H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11565 , H01L29/792 , H01L29/66

2.

发明公开
MEMORY ARRAYS AND METHODS USED IN FORMING A MEMORY ARRAY 审中-公开

公开(公告)号：EP3925005A1

公开(公告)日：2021-12-22

申请号：EP20755625.9

申请日：2020-01-28

申请人： Micron Technology, Inc.

发明人： BHUSHAN, Bharat , CARLSON, Chris, M. , HOWDER, Collin

IPC分类号： H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/792 , H01L29/66