摘要:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erstellung einer Defektkarte von auf einem Träger, insbesondere einem Halbleiter-Wafer befindlichen Einzelkomponenten, insbesondere HalbleiterBauelementen, bei dem zunächst mittels eines Messvorganges, insbesondere mittels Proben defekte Einzelkomponenten identifiziert werden. Erfindungsgemäß werden folgende Verfahrensschritte durchgeführt: - Erstellen einer ersten und zweiten Defektkarte, indem die defekten Einzelkomponenten disjunkt der ersten und zweiten Defektkarte derart zugeordnet werden, dass auf der ersten Defektkarte nur diejenigen defekten Einzelkomponenten als defekt klassifiziert werden, deren angrenzenden Einzelkomponenten eine Umgebung mit einer Defektdichte bis zu einem ersten Wert (δ 1 ) bilden und auf der zweiten Defektkarte die bei der Erstellung der ersten Defektkarte nicht berücksichtigten defekten Einzelkomponenten als defekt klassifiziert werden, - Erstellen einer dritten Defektkarte indem auf der zweiten Defektkarte weitere Einzelkomponenten als defekt klassifiziert werden, deren angrenzenden Einzelkomponenten eine Umgebung mit mindestens einer Defektdichte mit einem zweiten Wert (δ 2 ) bilden, der kleiner als der erste Wert (δ 1 ) ist, und - Erstellen einer vierten Defektkarte durch Vereinigen der dritten Defektkarte mit der ersten Defektkarte.