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    Verfahren zur Erstellung einer Defektkarte von auf einem Träger, insbesondere einem Halbleiter-Wafer, befindliche Einzelkomponenten, insbesondere Halbleiter-Bauelementen
    1.
    发明公开
    Verfahren zur Erstellung einer Defektkarte von auf einem Träger, insbesondere einem Halbleiter-Wafer, befindliche Einzelkomponenten, insbesondere Halbleiter-Bauelementen 审中-公开
    一种用于在载体上产生地图中的缺陷的方法，尤其是半导体晶片，各个部件的位置，特别是半导体元件，

    公开(公告)号：EP2246708A1

    公开(公告)日：2010-11-03

    申请号：EP09006004.7

    申请日：2009-04-30

    申请人： Micronas GmbH

    发明人： Zimmer, Hans-Günter ,  Krause, Jörg

    IPC分类号： G01R31/28 ,  H01L21/66

    CPC分类号： G01R31/2894 ,  H01L22/20

    摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erstellung einer Defektkarte von auf einem Träger, insbesondere einem Halbleiter-Wafer befindlichen Einzelkomponenten, insbesondere HalbleiterBauelementen, bei dem zunächst mittels eines Messvorganges, insbesondere mittels Proben defekte Einzelkomponenten identifiziert werden. Erfindungsgemäß werden folgende Verfahrensschritte durchgeführt:
    - Erstellen einer ersten und zweiten Defektkarte, indem die defekten Einzelkomponenten disjunkt der ersten und zweiten Defektkarte derart zugeordnet werden, dass auf der ersten Defektkarte nur diejenigen defekten Einzelkomponenten als defekt klassifiziert werden, deren angrenzenden Einzelkomponenten eine Umgebung mit einer Defektdichte bis zu einem ersten Wert (δ 1 ) bilden und auf der zweiten Defektkarte die bei der Erstellung der ersten Defektkarte nicht berücksichtigten defekten Einzelkomponenten als defekt klassifiziert werden,
    - Erstellen einer dritten Defektkarte indem auf der zweiten Defektkarte weitere Einzelkomponenten als defekt klassifiziert werden, deren angrenzenden Einzelkomponenten eine Umgebung mit mindestens einer Defektdichte mit einem zweiten Wert (δ 2 ) bilden, der kleiner als der erste Wert (δ 1 ) ist, und
    - Erstellen einer vierten Defektkarte durch Vereinigen der dritten Defektkarte mit der ersten Defektkarte.

    摘要翻译： 该方法包括通过一个测量过程确定缺陷的各个部件，特别是通过测试。 提供了两个缺陷图谱（3），作为间断的缺陷图谱的有缺陷的各个组件，以便分配不仅没有被列为前有缺陷的地图上的缺陷有缺陷的各个组件。 第三缺陷地图提供（4），作为另一单个组件被归类为有缺陷的有缺陷的后期地图上。 第四缺陷映射是通过组合第三和前缺陷映射提供（5）。 因此独立claimsoft被包括用于采样器，特别是晶片采样与用于执行缺陷图制造方法的控制装置。

    Verfahren zum Messen der Konzentration eines Gases
    2.
    发明公开
    Verfahren zum Messen der Konzentration eines Gases 有权
    Verfahren zum Messen der Konzentration eines气体

    公开(公告)号：EP2105732A1

    公开(公告)日：2009-09-30

    申请号：EP09004230.0

    申请日：2009-03-25

    申请人： Micronas GMBH

    发明人： Frerichs, Heinz-Peter, Dr. ,  Zimmer, Hans-Günter ,  Kolleth, Tobias ,  Wilbertz, Christoph, Dr.

    IPC分类号： G01N27/414 ,  G01N27/12

    CPC分类号： G01N27/4143

    摘要： Bei einem Verfahren zum Messen der Konzentration eines Zielgases wird ein Gassensor (1) bereit gestellt, dessen Sensorsignal (20) bei konstanter Temperatur von einer Zielgaskonzentration (21) abhängig ist und in einem ersten Aussteuerungsbereich (29) eine geringere Messempfindlichkeit aufweist als in einem zweiten Aussteuerungsbereich (30). Die Lage der Aussteuerungsberelche (29, 30) ist von der Temperatur abhängig. Die Temperatur des Gassensors (1) wird derart geregelt, dass das Sensorsignal (20) Im Wesentlichen von der Zielgaskonzentration (21) unabhängig ist und in dem zweiten Aussteuerungsbereich (30) liegt. Die Temperatur des Gassensors (1) ist dann ein Maß für die Zielgaskonzentration (21). ( Fig. 5 )

    摘要翻译： 该方法包括提供电解液栅极FET，电容控制FET，开尔文传感器或气体敏感部分作为气体传感器，其通过气体曝光改变电阻，其中气体传感器的传感器信号（20）依赖于 目标气体浓度（21）恒温。 调节气体传感器的温度，使得传感器信号与目标气体浓度无关，并处于调制范围（30），其中气体传感器的温度是目标气体浓度的测量。