公开(公告)号：EP2058279A1

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：EP07806497.9

申请日：2007-08-31

申请人： Mitsubishi Materials Corporation ,  Jemco INC.

发明人： TSUZUKIHASHI, Kouji ,  IKEDA, Hiroshi ,  YANAGIMACHI, Atsuo ,  WAKITA, Saburo

IPC分类号： C01B33/037 ,  B22D21/00 ,  B22D27/04

CPC分类号： C01B33/037 ,  C30B11/00 ,  C30B29/06

摘要： This metallic silicon is manufactured by refining molten crude metallic silicon by unidirectional solidification, and has a purity of 3N or more to 6N or less and an average crystal grain diameter of 1 mm or more. This method for manufacturing the metallic silicon includes: solidifying molten crude metallic silicon in a mold which contains fine silica particles in an inner peripheral layer thereof by unidirectional solidification at a rate of 1 mm/min or less; and then cooling to 200°C or below at a rate of 2°C/min or less.

摘要翻译： 该金属硅是通过单向凝固精炼熔融的粗制金属硅来制造的，其纯度为3N以上且6N以下，平均结晶粒径为1mm以上。 该金属硅的制造方法包括：通过以1mm / min以下的速度进行单向凝固，在其内周层中固化含有二氧化硅微粒的模具中的熔融粗制金属硅; 然后以2℃/ min以下的速度冷却至200℃以下。