Vakuumschaltröhre
    1.
    发明公开
    Vakuumschaltröhre 审中-公开
    真空灭弧室

    公开(公告)号:EP1022758A3

    公开(公告)日:2001-05-02

    申请号:EP00100945.5

    申请日:2000-01-19

    申请人: Moeller GmbH

    IPC分类号: H01H33/66 H01H9/52 H01H1/62

    摘要: Die Erfindung betrifft eine Vakuumschaltröhre mit einem in einer Vakuumschaltkammer angeordneten Hubleiter, umfassend einen Kontaktträger und ein Kontaktstück, sowie einen Festleiter, umfassend einen Kontaktträger und ein Kontaktstück und eine gegebenenfalls zylinderförmige die Kontaktstücke beabstandet umgebende Abschirmung, wobei die Vakuumschaltkammer von zwei über einen Isolatorring verbundenen metallischen Deckelteilen gebildet ist, in denen jeweils einer der Kontaktträger befestigt und aus der Vakuumschaltkammer herausgeführt ist, wobei zur Verbesserung der Nennstromtragfähigkeit und Ableitung von Wärme von der Oberfläche der Kontaktstücke die Oberfläche mindestens eines Kontaktträgers durch Ausbildung einer axialen zum aus der Vakuumschaltkammer herausgeführten Ende des Kontaktträgers verlaufenden Bohrung, die an Atmosphärendruck angrenzt, vergrößert ist.

    Verfahren zum Herstellen einer Kontaktanordnung für eine Vakuumschaltröhre
    3.
    发明公开
    Verfahren zum Herstellen einer Kontaktanordnung für eine Vakuumschaltröhre 审中-公开
    一种用于制造接触装置用于真空开关管的方法

    公开(公告)号:EP1022759A3

    公开(公告)日:2001-05-02

    申请号:EP00100966.1

    申请日:2000-01-19

    申请人: Moeller GmbH

    IPC分类号: H01H33/66 H01H1/02

    摘要: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Kontaktanordnung, umfassend einen Kontaktträger und ein mit diesem verbundenes Kontaktstück, als Hubleiter oder Festleiter für eine Vakuumschaltröhre, wobei der Kontaktträger aus Kupfer und das Kontaktstück aus einem abbrandfesten elektrisch leitfähigen Material, enthaltend Kupfer und mindestens eine Metallkomponente mit einem Schmelzpunkt oberhalb 1400°C besteht, wobei für das Kontaktstück ein Rohling aus einer gesinterten Metallmatrix, deren Schmelzpunkt oberhalb 1400°C liegt, verwendet wird, und dieser Rohling in eine der kompletten Form der Kontaktanordnung aus Kontaktstück und Kontaktträger, wie einem Hubleiter oder Festleiter entsprechende Gießform eingebracht wird, dann die Gießform mit Kupferpulver aufgefüllt wird und im Vakuum auf die Schmelztemperatur des Kupferpulvers erhitzt wird, wobei ein Teil des schmelzflüssigen Kupfers in den Rohling infiltriert und der verbleibende Teil des schmelzflüssigen Kupfers den Kontaktträger der Kontaktanordnung, wie eines Hubleiters oder Festleiters ausbildet, und die so gebildete einstückige Kontaktanordnung beispielsweise in der Gestalt eines Hubleiters oder Festleiters nach dem Abkühlen und Erstarren aus der Gießform entnommen wird.

    Vakuumschaltröhre
    4.
    发明公开
    Vakuumschaltröhre 审中-公开

    公开(公告)号:EP1022758A2

    公开(公告)日:2000-07-26

    申请号:EP00100945.5

    申请日:2000-01-19

    申请人: Moeller GmbH

    IPC分类号: H01H33/66 H01H9/52 H01H1/62

    摘要: Die Erfindung betrifft eine Vakuumschaltröhre mit einem in einer Vakuumschaltkammer angeordneten Hubleiter, umfassend einen Kontaktträger und ein Kontaktstück, sowie einen Festleiter, umfassend einen Kontaktträger und ein Kontaktstück und eine gegebenenfalls zylinderförmige die Kontaktstücke beabstandet umgebende Abschirmung, wobei die Vakuumschaltkammer von zwei über einen Isolatorring verbundenen metallischen Deckelteilen gebildet ist, in denen jeweils einer der Kontaktträger befestigt und aus der Vakuumschaltkammer herausgeführt ist, wobei zur Verbesserung der Nennstromtragfähigkeit und Ableitung von Wärme von der Oberfläche der Kontaktstücke die Oberfläche mindestens eines Kontaktträgers durch Ausbildung einer axialen zum aus der Vakuumschaltkammer herausgeführten Ende des Kontaktträgers verlaufenden Bohrung, die an Atmosphärendruck angrenzt, vergrößert ist.

    摘要翻译: 为了提高额定电流并从触头的表面去除热量,通过形成暴露于大气压的孔(201)来增大至少一个触点载体的表面积。 孔与从真空开关室延伸出的接触载体的端部轴向对准。

    Verfahren zum Herstellen einer Kontaktanordnung für eine Vakuumschaltröhre
    6.
    发明公开
    Verfahren zum Herstellen einer Kontaktanordnung für eine Vakuumschaltröhre 有权
    用于制造真空断续器的接触装置的方法

    公开(公告)号:EP1022760A3

    公开(公告)日:2001-05-02

    申请号:EP00100967.9

    申请日:2000-01-19

    申请人: Moeller GmbH

    IPC分类号: H01H33/66 H01H11/04

    摘要: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Kontaktanordnung für eine Vakuumschaltröhre mit einem Kontaktträger und mit einem damit mittels eines Lotmaterials unter Vakuum verbundenen Kontaktstücks, wobei der Kontaktträger aus elektrisch gut leitendem Material, zum Beispiel aus Kupfer, und das Kontaktstück aus einem abbrandfesten und Kupfer enthaltenden Sintermaterial besteht, wobei das Kontaktstück unmittelbar flächig auf den Kontaktträger unter Ausbildung eines Spaltes entlang der Berührungsfläche angedrückt wird und das Lotmaterial an an den Spalt der Berührungsfläche zwischen Kontaktstück und Kontaktträger unmittelbar angrenzenden Bereichen angeordnet wird und danach unter Vakuum durch Zufuhr von Wärme das Lotmaterial zum Aufschmelzen gebracht wird und das aufgeschmolzene Lotmaterial in den Spalt der Berührungsflächen zwischen Kontaktträger und Kontaktstück eindringt.

    摘要翻译: 本发明涉及一种用于制造一个接触装置用于具有触头承载器,并用通过真空接触片下的焊料材料的装置相关联的真空灭弧室,所述接触载体由高导电材料制成,例如由铜制成的,并从一个耐侵蚀和含铜接触片 烧结材料,其特征在于,接触片被直接表面被压到接触载体与沿界面的间隙,并通过供应热量的钎料直接相邻的区域被定位在接触片和接触载体,然后在真空下之间的接触面的间隙,熔化的钎焊材料 并且熔化的焊料材料渗入接触载体和接触件之间的接触表面的间隙中。

    Verfahren zum Herstellen einer Kontaktanordnung für eine Vakuumschaltröhre
    7.
    发明公开
    Verfahren zum Herstellen einer Kontaktanordnung für eine Vakuumschaltröhre 审中-公开
    Verfahren zum Herstellen einer KontaktanordnungfüreineVakuumschaltröhre

    公开(公告)号:EP1022759A2

    公开(公告)日:2000-07-26

    申请号:EP00100966.1

    申请日:2000-01-19

    申请人: Moeller GmbH

    IPC分类号: H01H33/66 H01H1/02

    摘要: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Kontaktanordnung, umfassend einen Kontaktträger und ein mit diesem verbundenes Kontaktstück, als Hubleiter oder Festleiter für eine Vakuumschaltröhre, wobei der Kontaktträger aus Kupfer und das Kontaktstück aus einem abbrandfesten elektrisch leitfähigen Material, enthaltend Kupfer und mindestens eine Metallkomponente mit einem Schmelzpunkt oberhalb 1400°C besteht, wobei für das Kontaktstück ein Rohling aus einer gesinterten Metallmatrix, deren Schmelzpunkt oberhalb 1400°C liegt, verwendet wird, und dieser Rohling in eine der kompletten Form der Kontaktanordnung aus Kontaktstück und Kontaktträger, wie einem Hubleiter oder Festleiter entsprechende Gießform eingebracht wird, dann die Gießform mit Kupferpulver aufgefüllt wird und im Vakuum auf die Schmelztemperatur des Kupferpulvers erhitzt wird, wobei ein Teil des schmelzflüssigen Kupfers in den Rohling infiltriert und der verbleibende Teil des schmelzflüssigen Kupfers den Kontaktträger der Kontaktanordnung, wie eines Hubleiters oder Festleiters ausbildet, und die so gebildete einstückige Kontaktanordnung beispielsweise in der Gestalt eines Hubleiters oder Festleiters nach dem Abkühlen und Erstarren aus der Gießform entnommen wird.

    摘要翻译: 该方法包括从熔点高于1400℃的烧结金属基体的坯料(21a)形成接触片。将坯料放置在接触片和接触载体的接触布置形式的铸模中, 模具内装有铜粉(4)。 将模具在真空中加热至铜粉末的熔点。 然后在冷却和固化后除去所得的单件接触装置。

    Verfahren zum Herstellen eines Kontaktwerkstoffes für Kontaktstücke für Vakuumschaltgeräte sowie Kontaktwerkstoff und Kontaktstücke hierfür
    10.
    发明公开
    Verfahren zum Herstellen eines Kontaktwerkstoffes für Kontaktstücke für Vakuumschaltgeräte sowie Kontaktwerkstoff und Kontaktstücke hierfür 有权
    制造用于接触件的真空开关,以及作为接触材料和接触片的接触材料用于此目的的方法

    公开(公告)号:EP1130608A2

    公开(公告)日:2001-09-05

    申请号:EP01104952.5

    申请日:2001-03-01

    IPC分类号: H01H1/02

    摘要: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Kontaktwerkstoffes aus Kupfer und Chrom im Verhältnis von 40 bis 75 Gew.-% Kupfer und 25 bis 60 Gew.-% Chrom für Kontaktstücke für Vakuumschaltgeräte durch Pressen der Pulvermischung, Sintern und Tränken des Presslings und nachfolgendes Umformen zu einem Kontaktwerkstoff-Halbzeug, dass eine mindestens 99 % der theoretischen Dichte entsprechende Dichte aufweist, sowie Kontaktstücke aus diesem Kontaktwerkstoff-Halbzeug.

    摘要翻译: 铬粉,单独使用或作为混合物中,用铬的所要求的最终重量,与铜粉末混合,其重量为与所述最终接触材料的铜含量比较5-15重量%不足。 压制发生在200-1000兆帕,形成具有75%理论密度的90%一多孔状空白。 这是涂有足够的铜来弥补赤字。 在高真空中,加热发生或高于铜,烧结的熔点为铬或铜 - 铬基体中,从涂层浸渍有铜。 在这个阶段,铜含量超出增加做了紧迫的,密度为96%的理论-98%。 与针对扩展挤出期间变形的至少30%如下,拉丝铬长丝在延伸方向,以形成定向结构。 未完成的接触坯料然后具有至少99%,99.5%-99.9%的爱尤其,为理论密度的。 独立claimsoft被包括为相应的接触元件。 其抗张强度,并平行于延伸部的导电性比在横向方向上更大的每个的至少10%。