公开(公告)号：EP2933829A1

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：EP15163578.6

申请日：2015-04-14

申请人： NXP B.V.

发明人： Dubois, Jerome ,  Wessels, Piet ,  Bisht, Gaurav ,  Thillaigovindan, Jayaraj ,  Ooms, Eric ,  Agrawal, Naveen

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/764

CPC分类号： H01L21/76235 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/764

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes forming a trench that includes a needle defect, depositing a high density plasma oxide over the trench including the needle defect, removing the part of the high density oxide and the liner oxide over the needle defect by applying an oxide etch, and after the step of applying the oxide etch, etching back the needle defect by applying a polysilicon etch.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括形成包括针缺陷的沟槽，在包括针缺陷的沟槽上沉积高密度等离子体氧化物，通过施加一个或多个针孔缺陷来去除部分高密度氧化物和衬垫氧化物 氧化物蚀刻，并且在施加氧化物蚀刻的步骤之后，通过施加多晶硅蚀刻来回蚀针缺陷。

公开(公告)号：EP2933829B1

公开(公告)日：2019-08-14

申请号：EP15163578.6

申请日：2015-04-14

申请人： NXP B.V.

发明人： Dubois, Jerome ,  Wessels, Piet ,  Bisht, Gaurav ,  Thillaigovindan, Jayaraj ,  Ooms, Eric ,  Agrawal, Naveen

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/764

公开(公告)号：EP2602817A1

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：EP11191998.1

申请日：2011-12-05

申请人： NXP B.V.

发明人： Bolt, Michael John Ben ,  Dubois, Jerome Guillaume Anna ,  Agrawal, Naveen ,  Bisht, Gaurav Singh ,  Thillaigovindan, Jayaraj ,  Jie, Liao ,  Lim, Khin Hoong ,  Berckmans, Nico ,  Wessels, Petrus Jacobus Johannes

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/76283 ,  H01L29/0649

摘要： Disclosed is an integrated circuit die comprising an active substrate (20) including a plurality of components laterally separated from each other by respective isolation structures (30), at least some of the isolation structures carrying a further component (40), wherein the respective portions of the active substrate underneath the isolation structures carrying said further components are electrically insulated from said components. A method of manufacturing such an IC die is also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种集成电路管芯，其包括有源衬底（20），该有源衬底（20）包括通过相应的隔离结构（30）彼此横向分离的多个部件，至少一些隔离结构承载另外的部件（40），其中各部分 在承载所述另外的部件的隔离结构之下的有源衬底与所述部件电绝缘。 还公开了一种制造这种IC芯片的方法。