公开(公告)号：EP1462540A1

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：EP02781882.2

申请日：2002-12-03

申请人： Nippon Sheet Glass Company, Limited

发明人： FUJISAWA, Akira, c/o NIPPON SHEET GLASS CO., LTD. ,  ARAI, Daisuke, c/o NIPPON SHEET GLASS CO., LTD. ,  ICHIKI, Kiyotaka, c/o NIPPON SHEET GLASS CO., LTD. ,  SUEYOSHI, Yukio, c/o NIPPON SHEET GLASS CO., LTD. ,  YAMAMOTO, Toru, c/o NIPPON SHEET GLASS CO., LTD. ,  OTANI, Tsuyoshi, c/o NIPPON SHEET GLASS CO., LTD.

IPC分类号： C23C16/40 ,  H01L31/04

CPC分类号： B60R16/0207 ,  C03C17/245 ,  C03C17/3417 ,  C03C17/3452 ,  C03C2217/211 ,  C03C2217/241 ,  C03C2218/15 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/407 ,  C23C16/545 ,  H01B7/08 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/26

摘要： The present invention provides a method of forming a thin film containing a metal oxide as the main component, the film thickness of which is relatively uniform, at a high film deposition rate over a wide area and over a long time. The present invention is a method for forming a thin film containing a metal oxide as the main component on a substrate using a mixed gas stream containing a metal chloride, an oxidizing material, and hydrogen chloride, by a thermal decomposition method at a film deposition rate of 4500 nm/min. or greater, performing at least one selected from: 1) prior to mixing the metal chloride and the oxidizing material in the mixed gas stream, contacting hydrogen chloride with at least one selected from the metal chloride and the oxidizing material, and 2) forming a buffer layer in advance on a surface of the substrate on which the thin film containing a metal oxide as the main component is to be formed.

摘要翻译： 本发明提供了一种以大面积且长时间的高成膜速度形成包含金属氧化物作为主要成分的薄膜的方法，所述金属氧化物的膜厚度相对均匀。 本发明是一种使用含有金属氯化物，氧化材料和氯化氢的混合气体流，通过热分解法以膜沉积速率在基板上形成含有金属氧化物作为主要成分的薄膜的方法 4500纳米/分钟。 或更高，执行选自以下的至少一种：1）在混合气流中混合金属氯化物和氧化材料之前，使氯化氢与选自金属氯化物和氧化材料中的至少一种接触，以及2）形成 缓冲层预先形成在其上将形成包含金属氧化物作为主要成分的薄膜的基板的表面上。