公开(公告)号：EP1901357A2

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：EP07016950.3

申请日：2007-08-29

申请人： Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG

发明人： Albrecht, Tony ,  Brüderl, Georg ,  Härle, Volker ,  Höppel, Lutz ,  Straßburg, Martin

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/24 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/02363 ,  H01L33/007 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/1231 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit
- einem Aufwachssubstrat (1) mit einer strukturierten Aufwachsfläche (2), die eine Vielzahl von Erhebungen (4) und Senken (3) aufweist, und
- einer aktiven Schichtenfolge (5), die auf die Aufwachsfläche (2) aufgebracht ist, angegeben.

摘要翻译： 光电子半导体芯片具有具有结构化生长表面的生长衬底（1），其具有多个突出部（4）和中空部（3）。 活性系列沉积物（5）施加在生长表面上。 活性系列沉积物的表面积大于生长衬底的横截面积（Q）的面积。 生长衬底由氮化镓，碳化硅，蓝宝石，氮化铟镓，铟铝氮化镓铟锌氧化物组成。