公开(公告)号：EP0127200A1

公开(公告)日：1984-12-05

申请号：EP84200296.6

申请日：1984-03-01

申请人： Philips Electronics N.V.

发明人： Haisma, Jan ,  Larsen, Poul Kjaerby ,  de Jong, Tim ,  van der Veen, Johannes Friso ,  Douma, Willem Alle Sander ,  Saris, Frans Willem

IPC分类号： H01L21/203

CPC分类号： H01L21/02461 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02661 ,  Y10S148/003 ,  Y10S148/007 ,  Y10S148/025 ,  Y10S148/123 ,  Y10S148/169

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device (1), in which onto a surface (3) of a monocrystalline semiconductor body (2) there is grown by means of molecular beam epitaxy a monocrystalline layer (5) of another semiconductor material. During the growth the semiconductor body is kept at such a low temperature that a non-monocrystalline layer is obtained, which is then converted by a heat treatment into a monocrystalline form. Thus, an abrupt junction between the two semiconductor materials can be obtained.

摘要翻译： 一种制造半导体器件（1）的方法，其中通过分子束外延生长另一种半导体材料的单晶层（5）到单晶半导体器件（2）的表面（3）上。 在生长期间，半导体体保持在如此低的温度下，获得非单晶层，然后将其通过热处理转化为单晶形式。 因此，可以获得两个半导体材料之间的突然连接。

公开(公告)号：EP0127200B1

公开(公告)日：1987-06-16

申请号：EP84200296.6

申请日：1984-03-01

申请人： Philips Electronics N.V.

发明人： Haisma, Jan ,  Larsen, Poul Kjaerby ,  de Jong, Tim ,  van der Veen, Johannes Friso ,  Douma, Willem Alle Sander ,  Saris, Frans Willem

IPC分类号： H01L21/203

CPC分类号： H01L21/02461 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02661 ,  Y10S148/003 ,  Y10S148/007 ,  Y10S148/025 ,  Y10S148/123 ,  Y10S148/169