Procédé et moule pour l'encapsulation d'un dispositif semiconducteur par injection de résine
    3.
    发明公开
    Procédé et moule pour l'encapsulation d'un dispositif semiconducteur par injection de résine 失效
    Verfahren und Gussform zum Verkapseln einer Halbleiteranordnung durch Harzeinspritzung。

    公开(公告)号:EP0293954A1

    公开(公告)日:1988-12-07

    申请号:EP88200816.2

    申请日:1988-04-27

    IPC分类号: H01L21/56 B29C45/34

    摘要: - Procédé d'encapsulation d'un dispositif semiconducteur (17) muni de conducteurs métalliques (18), par injection de résine dans une cavité de moulage (20) surmontant ce dispositif.
    - Préalablement à l'injection et durant une portion substan­tielle de cette opération, on soumet la cavité de moulage et le canal d'injection (21) conduisant à cette cavité à une évacua­tion d'air pratiquée au moyen d'une conduite de vide (30) débou­chant dans la cavité au travers d'une paroi poreuse (33).
    De préférence l'injection est réalisée par un seuil (36) situé entre deux conducteurs métalliques adjacents.
    - Encapsulation des dispositifs semiconducteurs.

    摘要翻译: 通过树脂注入设置有金属导体(18)的半导体器件(17)的封装方法,该半导体器件(17)覆盖在该器件上方的模制腔(20)中。 在注入之前和在该操作的相当大的部分期间,通向该空腔的模腔和注入通道(21)经由通过真空管(30)完成的空气排出,所述真空管通过一个 多孔壁(33)。 注射优选通过位于两个相邻金属导体之间的基底(36)进行。 封装半导体器件。