公开(公告)号：EP1416540A4

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：EP02749325

申请日：2002-07-22

申请人： RENESAS TECH CORP ,  HITACHI ULSI SYS CO LTD

发明人： TANAKA TOSHIHIRO ,  UMEMOTO YUKIKO ,  HIRAKI MITSURU ,  SHINAGAWA YUTAKA ,  FUJITO MASAMICHI ,  SUZUKAWA KAZUFUMI ,  TANIKAWA HIROYUKI ,  YAMAKI TAKASHI ,  KAMIGAKI YOSHIAKI ,  MINAMI SHINICHI ,  KATAYAMA KOZO ,  MATSUZAKI NOZOMU

IPC分类号： H01L29/788 ,  G11C16/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/792

CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C5/025 ,  G11C8/08 ,  G11C16/04 ,  G11C16/0425 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  G11C16/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7885 ,  H01L29/792

摘要： Each non-volatile memory cell (1) of the device has MOS-type transistor (3) for information storage and MOS-type transistor (4) for selecting transistor (3). The gate dielectric strength and thickness of gate insulation film of transistor (4) are lower than that of transistor (3).

摘要翻译： 一种半导体器件具有非易失性存储单元（1），每个非易失性存储单元包括用于信息存储的MOS型第一晶体管部分（3）和选择第一晶体管部分的MOS型第二晶体管部分（4）。 第二晶体管部分具有连接到位线的位线电极（16）和连接到控制栅极控制线的控制栅极电极（18）。 第一晶体管部分具有连接到源极线的源极线电极（10），连接到存储器栅极控制线的存储器栅极电极（14）以及设置在存储器栅极正下方的电荷累积区域（11）。 第二晶体管部分的栅极介电强度低于第一晶体管部分的栅极介电强度。 当第二晶体管部分的栅极绝缘膜的厚度是（tc）并且第一晶体管部分的栅极绝缘膜的厚度是（tm）时，（tc）<（tm）的关系成立。