专利检索 ap:("Raytheon Company") AND inv:"SCHULTZ, Brian, D." 第 1 页

1.

发明公开
GALLIUM NITRIDE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS (HEMTS) HAVING REDUCED CURRENT COLLAPSE AND POWER ADDED EFFICIENCY ENHANCEMENT 审中-公开

公开(公告)号：EP4082044A1

公开(公告)日：2022-11-02

申请号：EP20812187.1

申请日：2020-11-03

申请人： Raytheon Company

发明人： TORABI, Abbas , SCHULTZ, Brian, D. , LOGAN, John

IPC分类号： H01L29/207 , H01L29/778 , H01L29/20

2.

发明公开
SEMICONDUCTOR MATERIAL GROWTH OF A HIGH RESISTIVITY NITRIDE BUFFER LAYER USING ION IMPLANTATION 审中-公开

公开(公告)号：EP3501033A1

公开(公告)日：2019-06-26

申请号：EP17751556.6

申请日：2017-08-02

申请人： Raytheon Company

发明人： HWANG, Kiuchul , SCHULTZ, Brian, D. , KERR, Amanda

IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/265

3.

发明公开
DEPLETION MODE HIGH ELECTRON MOBILITY FIELD EFFECT TRANSISTOR (HEMT) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BERYLLIUM DOPED SCHOTTKY CONTACT LAYERS 审中-公开

公开(公告)号：EP4154322A1

公开(公告)日：2023-03-29

申请号：EP21714501.0

申请日：2021-03-03

申请人： Raytheon Company

发明人： HWANG, Kiuchul , SCHULTZ, Brian, D. , LOGAN, John , LEONI, Robert, E. , KOLIAS, Nicholas, J.

IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/207 , H01L29/417 , H01L29/43 , H01L29/20

4.

发明公开
GROUP III-NITRIDE STRUCTURE HAVING SUCCESSIVELY REDUCED CRYSTALLOGRAPHIC DISLOCATION DENSITY REGIONS 审中-公开

公开(公告)号：EP3602608A1

公开(公告)日：2020-02-05

申请号：EP18718545.9

申请日：2018-03-26

申请人： Raytheon Company

发明人： SCHULTZ, Brian, D. , KENNEDY, Theodore, D. , KERR, Amanda , HOKE, William, E.

IPC分类号： H01L21/20