公开(公告)号：EP2161742A1

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：EP08290827.8

申请日：2008-09-03

申请人： S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A. ,  Commissariat A L'Energie Atomique - CEA

发明人： Signamarcheix, Thomas ,  Allibert, Frederic ,  Deguet, Chrystel

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/16 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76283

摘要： The invention relates to a method for fabricating a locally passivated germanium-on-insulator substrate wherein, in order to achieve good electron mobility, nitridized regions are provided at localised positions. Nitridizing is achieved using a plasma treatment.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造局部钝化的绝缘体上的锗衬底的方法，其中为了获得良好的电子迁移率，在局部位置提供氮化区域。 使用等离子体处理实现氮化。