公开(公告)号：EP0766293A3

公开(公告)日：1997-04-16

申请号：EP96410099.4

申请日：1996-09-24

申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.A.

发明人： Kalnitsky, Alexander ,  Lepert, Arnaud

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/329 ,  H01C17/26 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3215

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01C17/26 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/321

摘要： L'invention concerne un procédé de modification du dopage d'une région ou couche de silicium dopé, comprenant les étapes consistant à revêtir la région ou couche de silicium (11) d'une couche de siliciure d'un métal réfractaire (14) ; et à chauffer la région d'interface entre le silicium et le siliciure à une température choisie. Application à la fabrication d'une résistance ajustable ou d'un transistor MOS à tension de seuil ajustable.

摘要翻译： 一种改变掺杂硅区域或层的掺杂的方法，包括以下步骤：用难熔金属（14）的硅化物层涂覆硅区域或层（11）; 以及在选定温度下加热硅和硅化物之间的界面区域。 应用于制造可调电阻器或阈值电压可调的MOS晶体管。

公开(公告)号：EP0766293A2

公开(公告)日：1997-04-02

申请号：EP96410099.4

申请日：1996-09-24

申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.A.

发明人： Kalnitsky, Alexander ,  Lepert, Arnaud

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/329 ,  H01C17/26 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3215

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01C17/26 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/321

摘要： L'invention concerne un procédé de modification du dopage d'une région ou couche de silicium dopé, comprenant les étapes consistant à revêtir la région ou couche de silicium (11) d'une couche de siliciure d'un métal réfractaire (14) ; et à chauffer la région d'interface entre le silicium et le siliciure à une température choisie.
Application à la fabrication d'une résistance ajustable ou d'un transistor MOS à tension de seuil ajustable.

摘要翻译： 修改从多个掺杂的硅区域或多个层选择的区域的掺杂的方法包括用难熔金属硅化物层（14）涂覆硅区域或层（11），然后加热所选择的硅区域和 硅化物为750-1050摄氏度。硅是单晶或多晶硅，硅化物是硅化钛。 还声称使用上述过程（i）产生。 通过用硅化物（14a，14b）涂覆硅区域或层（11）的端部并加热硅和硅化物之间的界面区域来形成可调电阻器; 和（ii）产品。 通过形成具有栅极区域的MOS晶体管的可调阈值电压MOS晶体管，栅极区包括栅极绝缘层，多晶硅和硅化钛区域，并加热硅与硅化物之间的界面区域。

公开(公告)号：EP0673068A1

公开(公告)日：1995-09-20

申请号：EP95410014.5

申请日：1995-03-10

申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.A.

发明人： Kalnitsky, Alexander

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0251

摘要： La présente invention concerne une structure formée dans un circuit intégré, comprenant au moins deux éléments conducteurs (42, 60) séparés par un intervalle (68) rempli d'un gaz. Une colonne conductrice (60) est portée par sa base au-dessus d'un substrat semiconducteur (21) ; un conducteur (42) est séparé de la colonne par un intervalle ; et un matériau isolant (34, 46) délimite une cavité qui contient une partie de la surface latérale de la colonne (60) et une partie en regard de la surface du conducteur (42), des connexions (66, 62) étant assurées vers la colonne (60) et vers le conducteur (42).

摘要翻译： 集成电路结构包括由填充有气体的间隙（68）分开的两个导电元件（42,60）。 导电柱（60）由其基底安装在半导体衬底（21）的上方。 第一导体与柱（60）分开一个间隙。 绝缘材料（34,36）限定了包含柱（60）的侧表面的一部分和面向导体（42）的表面的部分的空腔。 连接（66,62）被提供给列（60）和导体（42）。

公开(公告)号：EP0863546A1

公开(公告)日：1998-09-09

申请号：EP98410025.5

申请日：1998-03-03

申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.A.

发明人： Kalnitsky, Alexander ,  Ferrant, Richard

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/525 ,  H01L27/11

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L21/76888 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： L'invention concerne un pseudofusible comprenant entre deux contacts (5, 6) une région de silicium (2) revêtue d'une région de siliciure (3) comprenant une portion (12) de section réduite revêtue d'une couche de diélectrique (4).

摘要翻译： 在具有位于两个触点（5,6）之间的硅区域并且被涂覆有具有减小的横截面部分（12）的硅化物区域（3））的伪熔断连接件中，该部分（12）被涂覆 其电介质层优选为氧化硅。 还要求保护的是采用上述伪可熔链路的电路，用于双稳态触发器的电压相关状态调整，触发器的一个支路包含伪可熔链路，另一支路包含一个电阻值， 伪熔丝链接的高低值。