公开(公告)号：EP2989644B1

公开(公告)日：2017-06-07

申请号：EP14718966.6

申请日：2014-04-18

申请人： Centre National de la Recherche Scientifique

发明人： BIGOT, Jean-Yves ,  VOMIR, Mircea ,  ALBRECHT, Michèle

IPC分类号： B23K9/08 ,  B23K9/09 ,  G11B9/04 ,  G11B13/04 ,  H01C17/26

CPC分类号： B23K9/08 ,  B23K9/091 ,  G11B9/04 ,  G11B13/045 ,  H01C10/00 ,  H01C17/26

公开(公告)号：EP4075456B1

公开(公告)日：2024-10-02

申请号：EP22163175.7

申请日：2022-03-21

IPC分类号： H01C1/144 ,  B23K26/00 ,  H01L23/00 ,  H05K3/30

CPC分类号： H01C17/242 ,  H01C17/26 ,  H01C17/281 ,  H01C1/14 ,  H01C1/144 ,  H01C17/06526 ,  H01L24/85 ,  B23K1/0016 ,  B23K2101/3620180801

公开(公告)号：EP1222669A1

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：EP01933981.1

申请日：2001-05-16

申请人： Koninklijke Philips Electronics N.V.

发明人： VAN DEN BROEK, Jan, J. ,  BOOGAARD, Arjen ,  VAN DER RIJT, Richard, A., F. ,  VAN DELDEN, Martinus, H., W., M. ,  DE WILD, Willem, R. ,  MONTREE, Andreas, H.

IPC分类号： H01C17/26

CPC分类号： H01G4/255 ,  H01C17/242 ,  H01C17/26

摘要： The passive component (1) has a first part (22) of a material with a first resistance value, which value can be lowered to a second value by laser trimming. The second value is at most one tenth of the first value and preferably less. Said material crystallizes in a laser trimming process, which locally heats the material to at least a transition temperature. Said material contains at least two different elements, which are preferably aluminum and germanium. The passive component (1) may be, for example, a resistor or a capacitor and may be part of a thin-film network of resistors, capacitors and/or inductors. In a resistor, it is preferred to have a second part (4) which contains a different resistance material with a resistance value lower than the first value and preferably higher than the second value.

公开(公告)号：EP2989644A1

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：EP14718966.6

申请日：2014-04-18

申请人： Centre National de la Recherche Scientifique

发明人： BIGOT, Jean-Yves ,  VOMIR, Mircea ,  ALBRECHT, Michèle

IPC分类号： H01C10/00 ,  H01C17/00 ,  H01C13/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/00 ,  G11B11/105 ,  G11B13/04

CPC分类号： B23K9/08 ,  B23K9/091 ,  G11B9/04 ,  G11B13/045 ,  H01C10/00 ,  H01C17/26

摘要： A method for modifying the value of a electric resistor (30), comprising a ferromagnetic material (31) having a first direction of magnetisation, comprising the following steps: a) illuminating a first area (32) of the ferromagnetic material (31) with a first LASER beam (14), such that this area is heated to a temperature greater than or equal to the Curie temperature of the ferromagnetic material (31); b) applying, to the first area (32), a magnetic field of which the direction is the opposite to the first direction of magnetisation of the ferromagnetic material (31) ; c) reducing the energy provided by the first LASER beam (14) at the first area (32) in order to allow the first area to cool to form a first controlled magnetic domain (36C).

公开(公告)号：EP1535333A1

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：EP03787537.4

申请日：2003-08-08

申请人： Technologies Ltrim, Inc.

发明人： LACOURSE, Alain ,  LANGLOIS, Hugues ,  SAVARIA, Yvon ,  GAGNON, Yves

IPC分类号： H01L27/08 ,  H01L21/02 ,  H01C17/242 ,  H01L21/329 ,  H01L29/8605

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01C17/26 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76894 ,  H01L27/0802 ,  H01L29/66166

摘要： A method is provided for tuning (i.e. modifying, changing) the impedance of semiconductor components or devices using a focused heating source. The method may be exploited for finely tuning the impedance of semiconductor components or devices, by modifying the dopant profile of a region of low dopant concentration (i.e. increasing the dopant concentration) by diffusion of dopants from adjacent regions of higher dopant concentration through the melting action of a focused heating source, for example a laser. The present invention is in particular directed to the use of lasers in relation to circuits for the creation of conductive links and pathways where none existed before. The present invention more particularly relates to a means wherein impedance modification (i.e. trimming or tuning) may advantageously be carried out as a function of the location of one or more conductive bridge(s) along the length of a gap region.

公开(公告)号：EP0766293A3

公开(公告)日：1997-04-16

申请号：EP96410099.4

申请日：1996-09-24

申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.A.

发明人： Kalnitsky, Alexander ,  Lepert, Arnaud

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/329 ,  H01C17/26 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3215

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01C17/26 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/321

摘要： L'invention concerne un procédé de modification du dopage d'une région ou couche de silicium dopé, comprenant les étapes consistant à revêtir la région ou couche de silicium (11) d'une couche de siliciure d'un métal réfractaire (14) ; et à chauffer la région d'interface entre le silicium et le siliciure à une température choisie. Application à la fabrication d'une résistance ajustable ou d'un transistor MOS à tension de seuil ajustable.

摘要翻译： 一种改变掺杂硅区域或层的掺杂的方法，包括以下步骤：用难熔金属（14）的硅化物层涂覆硅区域或层（11）; 以及在选定温度下加热硅和硅化物之间的界面区域。 应用于制造可调电阻器或阈值电压可调的MOS晶体管。

公开(公告)号：EP0766293A2

公开(公告)日：1997-04-02

申请号：EP96410099.4

申请日：1996-09-24

申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.A.

发明人： Kalnitsky, Alexander ,  Lepert, Arnaud

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/329 ,  H01C17/26 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3215

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01C17/26 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/321

摘要： L'invention concerne un procédé de modification du dopage d'une région ou couche de silicium dopé, comprenant les étapes consistant à revêtir la région ou couche de silicium (11) d'une couche de siliciure d'un métal réfractaire (14) ; et à chauffer la région d'interface entre le silicium et le siliciure à une température choisie.
Application à la fabrication d'une résistance ajustable ou d'un transistor MOS à tension de seuil ajustable.

摘要翻译： 修改从多个掺杂的硅区域或多个层选择的区域的掺杂的方法包括用难熔金属硅化物层（14）涂覆硅区域或层（11），然后加热所选择的硅区域和 硅化物为750-1050摄氏度。硅是单晶或多晶硅，硅化物是硅化钛。 还声称使用上述过程（i）产生。 通过用硅化物（14a，14b）涂覆硅区域或层（11）的端部并加热硅和硅化物之间的界面区域来形成可调电阻器; 和（ii）产品。 通过形成具有栅极区域的MOS晶体管的可调阈值电压MOS晶体管，栅极区包括栅极绝缘层，多晶硅和硅化钛区域，并加热硅与硅化物之间的界面区域。