专利检索 ap:("SHINETSU HANDOTAI KK") AND inv:"MATSUMINE MASAO" 第 1 页

1.

发明公开
SOI WAFER MANUFACTURING METHOD 有权
标题翻译： SOI晶片的制造方法

公开(公告)号：EP2012347A4

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：EP07742170

申请日：2007-04-23

申请人： SHINETSU HANDOTAI KK

发明人： YOSHIDA KAZUHIKO , MATSUMINE MASAO , TAKENO HIROSHI

IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/322 , H01L27/12

CPC分类号： H01L21/76256 , H01L21/26506 , H01L21/26533 , H01L21/3226

2.

发明公开
SOI WAFER MANUFACTURING METHOD 有权
标题翻译： SOI晶片的制造方法

公开(公告)号：EP2012346A4

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：EP07741675

申请日：2007-04-16

申请人： SHINETSU HANDOTAI KK

发明人： YOSHIDA KAZUHIKO , MATSUMINE MASAO , TAKENO HIROSHI

IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/322 , H01L27/12

CPC分类号： H01L21/76256 , H01L21/26506

3.

发明公开
SOI SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD AND SOI SUBSTRATE 有权
标题翻译： SOI-SUBSTRAT上的SOI-SUBSTRATHERSTELLUNGSVERFAHREN

公开(公告)号：EP2159825A4

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：EP08738595

申请日：2008-04-15

申请人： SHINETSU HANDOTAI KK

发明人： MATSUMINE MASAO

IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12

CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/2007