公开(公告)号：EP0008043B1

公开(公告)日：1982-05-05

申请号：EP79102670.1

申请日：1979-07-26

申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： Häfen, Günter Von, Dr.,Dipl.-Phys

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L27/0244 ,  H01L29/1004

公开(公告)号：EP0008043A1

公开(公告)日：1980-02-20

申请号：EP79102670.1

申请日：1979-07-26

申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： Häfen, Günter Von, Dr.,Dipl.-Phys

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L27/0244 ,  H01L29/1004

摘要： Die Erfindung betrifft einen integrierten bipolaren Halbleiterschaltkreis mit Transistoren großer Durchbruchspannung sowie Transistoren großer Aufwärtsstromverstärkung. Um bei einem solchen Halbleiterschaltkreis Durchbruchspannung und Aufwärtsstromverstärkung mit an die Schaltungsbedürfnisse anpaßbaren Größen unabhängig einstellen zu können, sieht die Erfindung vor, daß die Basiszonen (8, 8') der Transistoren großer Aufwärtsstromverstärkung im Vergleich zu den Basiszonen (4) der Transistoren großer Durchbruchspannung schwächer dotiert sind und in Richtung der Zonenfolge Emitter-Basis-Kollektor eine größere Tiefe (d 2 ) besitzen und daß die genannten Basiszonen (8, 8' bzw. 4) unabhängig voneinander hergestellt werden.

摘要翻译： 1.一种集成双极半导体开关电路，包括具有优选30V的高击穿电压的晶体管，以及高电流增益的晶体管，特别是l ** 2-L晶体管，其中在外延层（3）中， 布置在半导体衬底上，高电流增益晶体管的基极区（8）和具有高击穿电压的晶体管的基极区（4）形成为使得高电流增益晶体管的基极区（4） 具有比具有高击穿电压的晶体管的基极区域（8）更低的掺杂，并且具有从外延层（3）的暴露表面测量的更大的深度，其特征在于，所述外延层（3）具有 恒定厚度。