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    Semiconductor IC and method of making the same
    2.
    发明公开
    Semiconductor IC and method of making the same 失效
    Integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zur Herstellung derselben。

    公开(公告)号：EP0093304A1

    公开(公告)日：1983-11-09

    申请号：EP83103726.2

    申请日：1983-04-18

    申请人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.

    发明人： Takemoto, Toyoki ,  Komeda, Tadao ,  Yamada, Haruyasu ,  Fujita, Tsutomu

    IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L21/82

    CPC分类号： H01L27/0244 ,  H01L21/74 ,  H01L21/761 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0826 ,  H01L27/0922 ,  Y10S148/009 ,  Y10S148/151

    摘要： In a semiconductor IC, a vertical pnp or npn transistor of a uniform characteristic and a high breakdown voltage is made by forming, for example, a p-collector region (39) in an n-type epitaxial region, an n-well base region (41) formed in the p -collector region (39) and a p-emitter region (42) formed in the n-well base region (41); and furthermore, for example as shown in Figure 9, p-regions (40) and (49) are formed simultaneously with the p-collector region (39) and an n-region (53) is formed simultaneously with the n-well base region (41), thereby constituting III of superior characteristics and a high resistance device at the same time as forming of the vertical transistor without substantial increase of manufacturing steps; and in the similar way, by combining the p-region and n-region formed in the above-mentioned simultaneous steps with other region formed simultaneously with the forming of the vertical transistor, high h FE transistor, high speed vertical npn transistor, cross-over devices, p-channel and/or n-channel MOS transistors can be formed within limited manufacturing steps.

    摘要翻译： 在半导体IC中，通过在n型外延区域中形成例如集电极区域（39），形成具有均匀特性和高击穿电压的垂直pnp或npn晶体管，n阱 形成在p - 集电极区域（39）中的基极区域（41）和形成在n阱基极区域（41）中的p型发射极区域（42）。 此外，例如，p + - 区域（40）和（49）与p - 集电极区域（39）同时形成，并且n区域（53）与n阱同时形成 基极区域（41），从而在不大幅度增加制造步骤的同时形成垂直晶体管，从而构成优异特性的IIL和高电阻器件; 并且以类似的方式，通过将上述同步步骤中形成的p +区域和n区域与形成垂直晶体管，高hFE晶体管，高速垂直npn晶体管同时形成的其它区域组合， 交叉设备，p沟道和/或n沟道MOS晶体管可以在有限的制造步骤内形成。

    Semiconductor device
    3.
    发明公开
    Semiconductor device 失效
    Halbleitervorrichtung。

    公开(公告)号：EP0057549A2

    公开(公告)日：1982-08-11

    申请号：EP82300367.8

    申请日：1982-01-25

    申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

    发明人： Iwasaki, Hiroshi

    IPC分类号： H01L27/08

    CPC分类号： H01L27/0825 ,  H01L21/761 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/0244 ,  H01L29/0821

    摘要： Disclosed is a semiconductor body (118), comprising a semiconductor substrate (101) of a first conductivity type, a first semiconductor layer (105) of the first conductivity type formed on the substrate (101), a second semiconductor layer (115) of a second conductivity type, and a first semiconductor region (114) of the second conductivity type formed between the surface of the first semiconductor layer (105) and the substrate (101). The impurity concentration of the first semiconductor region (14) is equal to or lower than that of the second semiconductor layer (115).

    摘要翻译： 公开了一种半导体本体（118），包括第一导电类型的半导体衬底（101），形成在衬底（101）上的第一导电类型的第一半导体层（105），第二半导体层 第二导电类型，以及形成在第一半导体层（105）的表面和基板（101）的表面之间的第二导电类型的第一半导体区域（114）。 第一半导体区域（14）的杂质浓度等于或低于第二半导体层（115）的浓度。

    I2L semiconductor device
    7.
    发明公开
    I2L semiconductor device 失效
    I2L半导体器件

    公开(公告)号：EP0052465A3

    公开(公告)日：1983-07-20

    申请号：EP81305250

    申请日：1981-11-04

    申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

    发明人： Ikeda, Masashi

    IPC分类号： H01L27/02 ,  H03K19/091 ,  H01L21/82

    CPC分类号： H01L27/0244 ,  H03K19/091

    摘要： A semiconductor device includes a linear circuit section including a vertical npn transistor (TR4) and an I 2 L circuit section including a set of an injector pnp transistor (TR6) and an inverter npn transistor (TR5), these transistors being formed on the same wafer (30, 36) as for the vertical transistor (TR4). The inverter and injector transistors (TR5, TR6) are both lateral transistors.

    摘要翻译： 半导体器件包括包含垂直npn晶体管（TR4）的线性电路部分和包括一组喷射器pnp晶体管（TR6）和反相器npn晶体管（TR5）的I2L电路部分，这些晶体管形成在同一晶片（ 与垂直晶体管（TR4）相同。 逆变器和注入晶体管（TR5，TR6）都是横向晶体管。

    A semiconductor device and a method of manufacturing the device
    8.
    发明公开
    A semiconductor device and a method of manufacturing the device 失效
    一种半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：EP0024896A3

    公开(公告)日：1982-11-03

    申请号：EP80302913

    申请日：1980-08-22

    申请人： FUJITSU LIMITED

    发明人： Fukuda, Takeshi

    IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  H03K19/091

    CPC分类号： H01L27/0244 ,  H01L21/8226 ,  H01L27/075 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/8605

    摘要： The semiconductor device includes an 1 2 L device and a resistor element. A p-type buried layer 11 is formed on an n + -type substrate 10. An n-type epitaxial layer 12, 12', is grown on p-type layer 11. A ring shaped p + type region 13 is formed around part of the epitaxial layer 12', through the epitaxial layer 12' to the p-type layer 11. A resistor layer of n-type is provided in the epitaxial layer 12' surrounded by p + -type region 13. n + -type electrode connections 15 for the resistor are formed in the epitaxial layer 12' surrounded by the p + -type region 13.

    Transistors bipolaires à tension élevée, circuits intégrés comportant de tels transistors, et procédé de fabrication de tels circuits
    9.
    发明公开
    Transistors bipolaires à tension élevée, circuits intégrés comportant de tels transistors, et procédé de fabrication de tels circuits 失效
    双极高电压晶体管，其包括这样的晶体管和用于制造这种电路的方法的集成电路。

    公开(公告)号：EP0009442A1

    公开(公告)日：1980-04-02

    申请号：EP79400640.3

    申请日：1979-09-13

    申请人： THOMSON-CSF

    发明人： Roche, Marcel

    IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L21/82 ,  H01L29/10 ,  H01L27/02

    CPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L27/0244 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/7322

    摘要： L'invention se rapporte au domaine des transistors bipolaires pour fonctionnement aux tensions élevées, supérieures à 100 V. La fabrication simultanée de ces transistors des différents types connus, à savoir pnp, pnp latéraux, non et 12L, en vue de les réunir par intégration monolithique sur un même substrat, rencontre de grandes difficultés par suite des incompatibilités entre certaines étapes de fabrication communes. Selon l'invention, il est créé, pour les surmonter dans les pnp et pnp latéraux, deux régions supplémentaires à taux de dopage élevé de signe n, l'une à la jonction d'émetteur (32), et l'autre à la jonction de collecteur (25). Les applications sont notamment relatives aux circuits intégrés pour tensions élevées à haut degré d'intégration.

    摘要翻译： 本发明涉及一种双极型晶体管在高电压下进行操作的领域中，超过100伏。同时生产的各种已知类型的合成的晶体管，即 PNP，横向和非横向PNP和12L，以期通过单片集成在一个和相同的基底将它们组合，以满足关于某些共同生产阶段之间的帐户的不相容性很大的困难。 。根据本发明，为了克服它们的PNP和横向PNP器件，两个补充区域处发射结（32），另一个在集电结符号N，一个的高掺杂水平创建（25） ， 这些装置被采用，特别是，在高电压的集成电路集成了高的集成度。

    Integrierter bipolarer Halbleiterschaltkreis
    10.
    发明公开
    Integrierter bipolarer Halbleiterschaltkreis 失效
    Integrierter bipolarer Halbleiterschaltkreis。

    公开(公告)号：EP0008043A1

    公开(公告)日：1980-02-20

    申请号：EP79102670.1

    申请日：1979-07-26

    申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

    发明人： Häfen, Günter Von, Dr.,Dipl.-Phys

    IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/10

    CPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L27/0244 ,  H01L29/1004

    摘要： Die Erfindung betrifft einen integrierten bipolaren Halbleiterschaltkreis mit Transistoren großer Durchbruchspannung sowie Transistoren großer Aufwärtsstromverstärkung. Um bei einem solchen Halbleiterschaltkreis Durchbruchspannung und Aufwärtsstromverstärkung mit an die Schaltungsbedürfnisse anpaßbaren Größen unabhängig einstellen zu können, sieht die Erfindung vor, daß die Basiszonen (8, 8') der Transistoren großer Aufwärtsstromverstärkung im Vergleich zu den Basiszonen (4) der Transistoren großer Durchbruchspannung schwächer dotiert sind und in Richtung der Zonenfolge Emitter-Basis-Kollektor eine größere Tiefe (d 2 ) besitzen und daß die genannten Basiszonen (8, 8' bzw. 4) unabhängig voneinander hergestellt werden.

    摘要翻译： 1.一种集成双极半导体开关电路，包括具有优选30V的高击穿电压的晶体管，以及高电流增益的晶体管，特别是l ** 2-L晶体管，其中在外延层（3）中， 布置在半导体衬底上，高电流增益晶体管的基极区（8）和具有高击穿电压的晶体管的基极区（4）形成为使得高电流增益晶体管的基极区（4） 具有比具有高击穿电压的晶体管的基极区域（8）更低的掺杂，并且具有从外延层（3）的暴露表面测量的更大的深度，其特征在于，所述外延层（3）具有 恒定厚度。