公开(公告)号：EP1710850B1

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：EP05102814.0

申请日：2005-04-08

申请人： STMicroelectronics S.r.l.

发明人： Dodge, Richard ,  Wicker, Guy

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1253 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

公开(公告)号：EP1710850A1

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：EP05102814.0

申请日：2005-04-08

申请人： STMicroelectronics S.r.l.

发明人： Dodge, Richard ,  Wicker, Guy

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1253 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： A lateral phase change memory (50) includes a pair of electrodes (20, 24) separated by an insulating layer (22). The first electrode (20) is formed in an opening (18) in an insulating layer (16) and is cup-shaped. The first electrode (20) is covered by the insulating layer (22) which is, in turn, covered by the second electrode (24). As a result, the spacing between the electrodes (20, 24) may be very precisely controlled and limited to very small dimensions. The electrodes are advantageously formed of the same material, prior to formation of the phase change material region (36).

摘要翻译： 横向相变存储器（50）包括由绝缘层（22）分开的一对电极（20,24）。 第一电极（20）形成在绝缘层（16）的开口（18）中，并且是杯形的。 第一电极（20）由绝缘层（22）覆盖，绝缘层又由第二电极（24）覆盖。 结果，电极（20,24）之间的间隔可以被非常精确地控制并且被限制在非常小的尺寸上。 在形成相变材料区域（36）之前，电极有利地由相同的材料形成。