公开(公告)号：EP0975018A1

公开(公告)日：2000-01-26

申请号：EP99410087.3

申请日：1999-07-20

申请人： STMicroelectronics SA ,  Koninklijke Philips Electronics N.V. ,  FRANCE TELECOM

发明人： Gris, Yvon ,  Troillard, Germaine ,  Mourier, Jocelyne ,  Guelen, Jos ,  Lunardi, Geneviève ,  Banvillet, Henri ,  Oberlin, Jean-Claude ,  Maddalon, Catherine

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L28/55 ,  H01L21/76838 ,  H01L28/60

摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un condensateur comprenant les étapes consistant à déposer un premier niveau de métal et le graver pour laisser en place une région (12) correspondant à une première plaque d'un condensateur et une zone (13) de contact avec un niveau supérieur ; déposer une couche isolante (15) ; former une première ouverture au-dessus de la première plaque de condensateur (12) ; déposer une couche isolante mince (17) ; former une deuxième ouverture (20) au-dessus de la zone de contact ; déposer un deuxième niveau de métal (24) ; éliminer par gravure physico-chimique la deuxième couche de métal en dehors des régions où elle remplit les ouvertures ; déposer un troisième niveau de métal et en laisser en place des portions (31, 32).

摘要翻译： 工艺涉及对应于电容板的区域（12）沉积和蚀刻金属层和接触较高层的区域（13）; 沉积绝缘层; 在板上方形成孔，沉积薄绝缘层; 在接触区上方形成第二孔; 沉积第二金属层; 蚀刻第二金属层，除了孔填充区域; 和沉积第三金属层（31,32）。 第一和第二金属层是钨，第三金属层是Al-Cu。 第一洞有斜壁，第二洞有直墙。

公开(公告)号：EP1137062A1

公开(公告)日：2001-09-26

申请号：EP01201018.7

申请日：2001-03-19

申请人： Koninklijke Philips Electronics N.V. ,  STMicroelectronics SA

发明人： Inard, Alain ,  Zulian, Dominique ,  Levy, Didier ,  Lunenborg, Meindert ,  De Coster, Walter ,  Oberlin, Jean-Claude

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31055 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224

摘要： L'invention concerne un procédé de formation, dans un substrat semiconducteur (10), d'une zone isolante (14) entourant une zone active (12), comprenant les étapes suivantes :

a) former, dans le substrat, une tranchée entourant une zone active (12) ;
b) remplir la tranchée d'un premier matériau de façon à réaliser, autour de la zone active, une zone isolante (14) dépassant de la surface du substrat et formant un rebord vertical à sa périphérie ; et
c) émousser, en périphérie de la zone active, l'angle présenté par le rebord de la zone isolante.

L'invention concerne également un dispositif semiconducteur réalisé en utilisant cette méthode.

摘要翻译： 在半导体衬底（10）中形成围绕有源区（12）的绝缘区（14）包括在衬底中形成围绕有源区的沟槽，用第一材料填充沟槽，以形成突出的绝缘区，形成 围绕有源区域的周边边缘，并且在有源区域的周围使绝缘区域​​的边缘倾斜。 对于包括半导体衬底（10）的半导体器件和包围通过本发明的工艺形成的有源区域（12）的至少一个绝缘区域（14），给出了独立权利要求。

公开(公告)号：EP0975018B1

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：EP99410087.3

申请日：1999-07-20

申请人： Koninklijke Philips Electronics N.V.

发明人： Gris, Yvon ,  Troillard, Germaine ,  Mourier, Jocelyne ,  Guelen, Jos ,  Lunardi, Geneviève ,  Banvillet, Henri ,  Oberlin, Jean-Claude ,  Maddalon, Catherine

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L28/55 ,  H01L21/76838 ,  H01L28/60