公开(公告)号：EP0975018A1

公开(公告)日：2000-01-26

申请号：EP99410087.3

申请日：1999-07-20

申请人： STMicroelectronics SA ,  Koninklijke Philips Electronics N.V. ,  FRANCE TELECOM

发明人： Gris, Yvon ,  Troillard, Germaine ,  Mourier, Jocelyne ,  Guelen, Jos ,  Lunardi, Geneviève ,  Banvillet, Henri ,  Oberlin, Jean-Claude ,  Maddalon, Catherine

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L28/55 ,  H01L21/76838 ,  H01L28/60

摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un condensateur comprenant les étapes consistant à déposer un premier niveau de métal et le graver pour laisser en place une région (12) correspondant à une première plaque d'un condensateur et une zone (13) de contact avec un niveau supérieur ; déposer une couche isolante (15) ; former une première ouverture au-dessus de la première plaque de condensateur (12) ; déposer une couche isolante mince (17) ; former une deuxième ouverture (20) au-dessus de la zone de contact ; déposer un deuxième niveau de métal (24) ; éliminer par gravure physico-chimique la deuxième couche de métal en dehors des régions où elle remplit les ouvertures ; déposer un troisième niveau de métal et en laisser en place des portions (31, 32).

摘要翻译： 工艺涉及对应于电容板的区域（12）沉积和蚀刻金属层和接触较高层的区域（13）; 沉积绝缘层; 在板上方形成孔，沉积薄绝缘层; 在接触区上方形成第二孔; 沉积第二金属层; 蚀刻第二金属层，除了孔填充区域; 和沉积第三金属层（31,32）。 第一和第二金属层是钨，第三金属层是Al-Cu。 第一洞有斜壁，第二洞有直墙。

公开(公告)号：EP0949666A1

公开(公告)日：1999-10-13

申请号：EP99410028.7

申请日：1999-03-31

申请人： STMicroelectronics SA ,  FRANCE TELECOM

发明人： Gris, Yvon

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/1004

摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication des régions de base et d'émetteur d'un transistor bipolaire, comprenant les étapes consistant à déposer une première couche de silicium polycristallin (6) fortement dopée de type P ; éliminer la première couche dans sa partie centrale ; faire croître une couche d'oxyde (8) ; procéder à une implantation (30) de type P à une première dose ; former des espaceurs de nitrure de silicium (15) à la périphérie interne de la première couche ; procéder à une deuxième implantation de type P (31) à une deuxième dose ; éliminer la couche d'oxyde centrale ; déposer une deuxième couche de silicium polycristallin de type N (18) ; et procéder à un recuit thermique rapide ; la deuxième dose étant sélectionnée pour optimiser les caractéristiques de la jonction base-émetteur et la première dose étant inférieure à la deuxième dose.

摘要翻译： 双极晶体管基极和发射极区域的制造方法涉及重的第二注入步骤以优化基极 - 发射极结特征而不增加掩模和蚀刻步骤的数量。 双极晶体管基极和发射极区通过以下步骤形成在第一导电型有源区中：（a）沉积和选择性去除重掺杂的第二导电型多晶硅层（6）的中心部分; （b）热氧化层（8）的生长; （c）第二导电类型植入; （d）在多晶硅层的内周形成氮化硅间隔物; （e）第二导电型植入; （f）消除中心氧化物层; （g）沉积第一导电型多晶硅层（18）; 和（h）快速热退火。 选择步骤（e）的植入剂量以优化基极 - 发射极结特征并且大于步骤（c）的植入剂量。

公开(公告)号：EP0975018B1

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：EP99410087.3

申请日：1999-07-20

申请人： Koninklijke Philips Electronics N.V.

发明人： Gris, Yvon ,  Troillard, Germaine ,  Mourier, Jocelyne ,  Guelen, Jos ,  Lunardi, Geneviève ,  Banvillet, Henri ,  Oberlin, Jean-Claude ,  Maddalon, Catherine

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L28/55 ,  H01L21/76838 ,  H01L28/60

公开(公告)号：EP0949666B8

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：EP99410028.7

申请日：1999-03-31

申请人： STMicroelectronics S.A. ,  FRANCE TELECOM

发明人： Gris, Yvon

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/1004

公开(公告)号：EP1058302A1

公开(公告)日：2000-12-06

申请号：EP00410055.8

申请日：2000-05-30

申请人： STMicroelectronics SA

发明人： Gris, Yvon

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/73

CPC分类号： H01L29/66287 ,  H01L29/66242

摘要： L'invention concerne la fabrication de la jonction émetteur-base d'un transistor bipolaire sur une région active (3) de silicium délimitée par un isolant (4), l'ensemble étant recouvert d'une première couche isolante (5), comprenant les étapes consistant à graver la première couche isolante (5) pour découvrir la région active ; graver la région active sur une hauteur donnée ; former des espaceurs (8-1, 8-2) en silicium très fortement dopé, à la périphérie interne des reliefs résultant de la gravure de la première couche isolante et de la gravure de la région active ; déposer par épitaxie une couche de base (10) ; former un troisième espaceur (11) isolant à la périphérie interne d'un relief de la couche de base correspondant au premier espaceur ; déposer une couche d'émetteur (12) ; et effectuer un polissage mécano-chimique, en utilisant la première couche et le troisième espaceur comme points d'arrêt.

摘要翻译： 双极型晶体管的形成进行到有源区（3）通过在绝缘材料填充沟槽划分第一类型导电性的硅的（4）和覆盖有第一绝缘层（5），并且包括以下步骤： 在第一绝缘层（5）以露出有源区的表面的蚀刻; 有源区，以给定的高度的表面的蚀刻; 在陡峭的遗体在第一绝缘层和所述有源区的蚀刻的内部周围的第二导电类型的重掺杂硅的第一和第二垫片（8-1,8-2）的形成; 沉积由第二导电类型的基极层（10）的外延; 在基础层对应于所述第一间隔物的浮雕的内部周围的绝缘材料的第三间隔（11）的形成; 第一导电类型的重掺杂硅的发射极层（12）的沉积; 和机械化学抛光利用所述第一层和所述第三间隔物作为停止点。 该方法包括，对于有源区（3），下面的步骤的蚀刻：具有预定厚度的第一绝缘层（5）上的硅层的沉积; 掩蔽和消除硅层和所述有源区上方的第一绝缘层的; 和硅的选择性蚀刻到达第一绝缘层，以当停止-。 第一和第二垫片（8-1,8-2）的形成如下有源区（3）的一个超蚀刻。 在第一绝缘层（5）是一个多层包含氧化硅的层（5-1）和氮化硅的层（5-2）。 第一和第二间隔物（8-1,8-2）形成第二导电类型的掺杂多晶硅。 至少第一间隔件（8-1），可以形成单晶硅。 基材层（10）包括硅和锗。 锗的梯度和在基本层中（10）所述第一型导电性的掺杂剂的梯度被检查并在最大浓度出现在具有有源区（3）和与所述发射极层的界面处的界面附近（12 ）。 第三间隔物（11）上形成氧化硅构成。

公开(公告)号：EP1035571A1

公开(公告)日：2000-09-13

申请号：EP00410026.9

申请日：2000-03-10

申请人： STMicroelectronics S.A. ,  FRANCE TELECOM

发明人： Gris, Yvon ,  Troillard, Germaine

IPC分类号： H01L21/331

CPC分类号： H01L29/66272

摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire dans un substrat semiconducteur (11) de type N, comprenant les étapes consistant à déposer une première couche (13) de silicium polycristallin de contact de base et la doper ; déposer une deuxième couche (14) d'oxyde de silicium ; former dans les première et deuxième couches une ouverture (W) ; effectuer un recuit pour former une troisième couche mince d'oxyde (16) et durcir la deuxième couche d'oxyde ; implanter un dopant de type P ; déposer une quatrième couche (18) de nitrure de silicium ; déposer une cinquième couche (19) d'oxyde de silicium et la graver ; graver de façon anisotrope les cinquième, quatrième et troisième couches ; procéder à des nettoyages pendant lesquels la cinquième couche est regravée et prend un profil évasé ; déposer une sixième couche (20) de silicium polycristallin ; et implanter un dopant de type N.

摘要翻译： 包括蚀刻氧化硅层（19）以形成沉积多晶硅的钟口开口的双极晶体管生产是新的。 在第一导电类型半导体衬底（11）中制造双极晶体管包括沉积和掺杂多晶硅基底接触层（13），沉积氧化硅层（14）并在两层中形成开口，接着是新的步骤 （a）退火以形成氧化物薄膜（16）并使氧化硅层（14）硬化; （b）植入第二导电型掺杂剂; （c）沉积氮化硅层（18）; （d）沉积和蚀刻另外的氧化硅层（19）; （e）各向异性地蚀刻氧化硅层（19），氮化硅层（18）和氧化物薄膜（16）; （f）在重新蚀刻氧化硅层（19）的同时进行清洗以形成钟形开口（W1）; （g）沉积多晶硅层; 和（h）注入第一导电型掺杂剂。

公开(公告)号：EP0933801A1

公开(公告)日：1999-08-04

申请号：EP99410006.3

申请日：1999-01-29

申请人： STMicroelectronics S.A. ,  FRANCE TELECOM

发明人： Gris, Yvon ,  Troillard, Germaine ,  Mourier, Jocelyne

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  C30B29/06 ,  C30B25/18 ,  H01L21/285 ,  H01L29/417 ,  H01L21/265

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66287 ,  Y10S117/913

摘要： L'invention concerne un procédé de dépôt d'une couche de silicium sur un substrat de silicium monocristallin (11), de sorte que cette couche de silicium soit monocristalline, mais d'orientation différente de celle du substrat, comprenant les étapes consistant à délimiter une fenêtre sur le substrat ; créer à l'intérieur de la fenêtre des défauts interstitiels (14) dans une proportion atomique inférieure à un sur cent ; et effectuer un dépôt de silicium (15') dans des conditions correspondant généralement à celles d'un dépôt épitaxial, mais à une température inférieure à 900°C.

摘要翻译： 在外延沉积条件下，但是在低温下将单晶硅层沉积到包含间隙缺陷的局部单晶硅衬底区域（14）上。 通过以下步骤进行单晶硅层沉积到不同取向的单晶硅衬底（11）上：（a）在衬底的暴露部分中产生小于1原子％的间隙缺陷（14）; 和（b）在外延沉积条件下沉积硅（15'），但低于900℃。优选特征：通过在氧化硅层中的开口注入电中性元素而产生缺陷。

公开(公告)号：EP0949666B1

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：EP99410028.7

申请日：1999-03-31

申请人： STMicroelectronics S.A. ,  FRANCE TELECOM

发明人： Gris, Yvon

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/1004

公开(公告)号：EP1061568A1

公开(公告)日：2000-12-20

申请号：EP00410058.2

申请日：2000-06-16

申请人： STMicroelectronics SA

发明人： Gris, Yvon

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/73

CPC分类号： H01L29/66287 ,  H01L29/66242

摘要： L'invention concerne la fabrication d'un transistor bipolaire comprenant les étapes consistant à déposer une couche de silicium polycristallin (5) de type P et une couche isolante (6) sur un substrat (3) de type N ; définir dans ces couches une ouverture de base-émetteur ; procéder à un dopage de type P et recuire pour former une région fortement dopée (8) s'étendant partiellement sous la périphérie de la couche de silicium polycristallin (5) ; former un espaceur (11-12) en un matériau isolant à l'intérieur de l'ouverture ; procéder à une gravure isotrope du silicium sur une épaisseur supérieure à celle de la région fortement dopée (8) pour former un évidement (14) ; former de façon conforme par épitaxie sélective une couche de silicium (18) de type P pour constituer la couche de base du transistor ; et déposer du silicium polycristallin (19) fortement dopé de type N pour constituer l'émetteur du transistor.

摘要翻译： 双极晶体管的制造的特征在于：将各向同性蚀刻硅的厚度大于强掺杂区域的厚度以形成沟槽; 通过选择性外延形成第二导电型硅层，以形成晶体管基层; 并沉积强烈的第一导电型掺杂多晶硅，以形成晶体管发射极。 制造双极晶体管包括：（a）在第一类型导电性掺杂硅层（3）的表面中限定有源区; （b）沉积第二导电型掺杂多晶硅层（5）和绝缘层（6）; （c）在层中限定基极 - 发射极开口; （d）第二导电型掺杂和退火以形成部分地在硅层（5）的外围延伸的强掺杂区域（8）; （e）在开口内形成绝缘材料的间隔物（11,12）; （f）硅的各向同性蚀刻，其厚度大于强掺杂区域的厚度以形成凹槽; （g）通过选择性外延形成第二导电型硅层（18）以形成晶体管基层; 和（h）沉积强第一导电型掺杂多晶硅（19），以形成晶体管发射极。 通过选择性外延沉积的第二导电型硅层在其厚度的至少部分中含有锗。 间隔物包括氮化硅（11）和氧化硅（12）。 在外延沉积之后，优选沉积第二间隔物（22）。 各向同性蚀刻之后是深度离子注入第一种类型的导电掺杂剂，形成掩埋的集电区。 强掺杂区域（8）的掺杂度高于10 19个原子/ cm 3。

公开(公告)号：EP1096557A1

公开(公告)日：2001-05-02

申请号：EP00410127.5

申请日：2000-10-24

申请人： STMicroelectronics SA

发明人： Gris, Yvon

IPC分类号： H01L21/331

CPC分类号： H01L29/66242 ,  H01L29/66272

摘要： L'invention concerne un procédé de définition sur la surface supérieure d'un substrat (21-22) de deux zones autoalignées (A1, A2), comprend les étapes consistant à déposer une couche de protection (23) ; déposer une couche de recouvrement (24) ; ouvrir l'ensemble des couches de recouvrement et de protection à un emplacement (25) correspondant sensiblement à la frontière désirée des deux zones ; former un espaceur (26, 27) le long du bord de l'ouverture, cet espaceur ayant une partie arrière adossée à ladite frontière et une partie avant opposée ; ouvrir l'ensemble des couches de protection et de recouvrement derrière la partie arrière de l'espaceur ; et éliminer la couche de protection (23) jusqu'à atteindre la partie arrière de l'espaceur ; d'où il résulte que deux zones autoalignées (A1, A2) sont définies de part et d'autre de la longueur de l'espaceur.

摘要翻译： 在上layr（22）上的基板（21）与上表面划定2个autoaligned区域（A1，A2）的方法，包括以下步骤：保护层（23）的沉积，然后回收层的 （24）; 在基本对应于两个区的边界的位置（25）在所述两个层（23,24）中的开口的形成; 一个沿SPACR开口的边界的两个层（26,27）由...组成，并且具有支撑在边界和与之相对的前部的后部的形成; 所述层（23,24）间隔件的后部的后面的开口; 去除保护层（23）间隔件的后部; 并在基板和恢复层之间的空间中的材料的插入。 两个区域（A1，A2）之间的距离（d）是通过间隔物的长度良好定义的，unabhängig分环的树脂的相对于该开口的层的掩模。 基板的上层（22）（21），所有这些是硅的，是硅 - 锗（SiGe）的外延层。 广告材料正在寻求具有从恢复层的剩余部分的基材的扩散，E.G. 包含通过插入多晶硅到subtrate恢复层中硼的扩散，形成外部基极的区域。 所述保护层（23）是二氧化硅（SiO 2），并且在第二实施例中的所有这是在第一实施方式的应用实现一个双极型晶体管，则恢复layr由p型掺杂的多晶硅层的叠加FORMED 硅和氮化硅的层（氮化硅）。 去除保护层，导体层，或多晶硅的层之后，均匀地通过气相化学沉积而沉积。