公开(公告)号：EP1239278B9

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：EP02005456.5

申请日：2002-03-08

Applicant: Schott AG ,  Carl Zeiss SMT AG

Inventor： Gerhard, Michael, Dr. ,  Lentes, Frank-Thomas, Dr. ,  Kusch, Christian, Dr. ,  Singer, Wolfgang, Dr. ,  Mörsen, Ewald, Dr.

IPC: G01N21/45 ,  G01N21/896

CPC classification number: G01N21/455 ,  G01N21/958

公开(公告)号：EP1239278B1

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：EP02005456.5

申请日：2002-03-08

Applicant: Schott AG ,  Carl Zeiss SMT AG

Inventor： Gerhard, Michael, Dr. ,  Lentes, Frank-Thomas, Dr. ,  Kusch, Christian, Dr. ,  Singer, Wolfgang, Dr. ,  Mörsen, Ewald, Dr.

IPC: G01N21/45 ,  G01N21/896

CPC classification number: G01N21/455 ,  G01N21/958

公开(公告)号：EP1754809A3

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：EP06023376.4

申请日：2001-03-02

Applicant: Schott AG

Inventor： Wehrhahn, Gunther, Dr. ,  Elzner, Peter ,  Mörsen, Ewald, Dr. ,  Schatter, Richard ,  Axmann, Hans-Jörg ,  Reichhardt, Thorsten

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/12 ,  G02B5/30

CPC classification number: C30B11/003 ,  C30B11/00 ,  C30B29/12 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Züchtung von großvolumigen Einkristallen mit einheitlicher Orientierung aus einer Schmelze aus Kristallrohmaterial in einer Vorrichtung beschrieben, die ein verschließbares Gehäuse (10) mit darin angeordneten Seitenwänden (22), einem Boden (24), eine dem Boden (24) gegenüberliegende obere Öffnung (26) sowie gegebenenfalls eine Abdeckung (28) aufweisendes Schmelzgefäß (20), sowie mindestens ein Heizelement (50, 50') umfasst, bei dem ein im Schmelzgefäß (20) vorliegendes Kristallrohmaterial mittels Heizelementen (50, 50') so lange auf eine Temperatur oberhalb des Schmelzpunktes erwärmt wird bis sich eine eine Oberfläche aufweisende Schmelze bildet. Danach wird durch Absenken der Temperatur auf mindestens den Kristallisationspunkt am Boden des Schmelzgefäßes ein Einkristall gebildet, der mit der Schmelze eine Phasengrenzfläche fest/flüssig ausbildet, an welcher der Einkristall in eine Richtung senkrecht zur Phasengrenzfläche zur Schmelzoberfläche hinwächst. Dabei wird bei der Kristallzüchtung eine ebene Phasengrenzfläche erzeugt, die einen Krümmungsradius von mindestens einem Meter aufweist, indem man zwischen dem Boden (24) des Schmelzgefäßes (20) und dessen oberer Öffnung (26) einen senkrecht verlaufenden axialen Temperaturgradienten anlegt und einen durch die Seitenwände (22) verlaufenden Wärmezu- und/oder Wärmeabfluss vermeidet.

公开(公告)号：EP1376103B1

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：EP03013754.1

申请日：2003-06-17

Applicant: Schott AG

Inventor： Mörsen, Ewald, Dr. ,  Engel, Axel, Dr. ,  Lemke, Christian ,  Grabosch,Günter

IPC: G01N21/896 ,  G01N21/45 ,  G01N21/23

CPC classification number: G03F7/70966 ,  G01N21/23 ,  G01N21/455 ,  G01N21/896 ,  G01N21/958

公开(公告)号：EP1754809A2

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：EP06023376.4

申请日：2000-08-08

Applicant: Schott AG

Inventor： Wehrhahn, Gunther, Dr. ,  Elzner, Peter ,  Mörsen, Ewald, Dr. ,  Schatter, Richard ,  Axmann, Hans-Jörg ,  Reichhardt, Thorsten

IPC: C30B29/12 ,  C30B11/00 ,  G02B5/30

CPC classification number: C30B11/003 ,  C30B11/00 ,  C30B29/12 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Züchtung von großvolumigen Einkristallen mit einheitlicher Orientierung aus einer Schmelze aus Kristallrohmaterial in einer Vorrichtung beschrieben, die ein verschließbares Gehäuse (10) mit darin angeordneten Seitenwänden (22), einem Boden (24), eine dem Boden (24) gegenüberliegende obere Öffnung (26) sowie gegebenenfalls eine Abdeckung (28) aufweisendes Schmelzgefäß (20), sowie mindestens ein Heizelement (50, 50') umfasst, bei dem ein im Schmelzgefäß (20) vorliegendes Kristallrohmaterial mittels Heizelementen (50, 50') so lange auf eine Temperatur oberhalb des Schmelzpunktes erwärmt wird bis sich eine eine Oberfläche aufweisende Schmelze bildet. Danach wird durch Absenken der Temperatur auf mindestens den Kristallisationspunkt am Boden des Schmelzgefäßes ein Einkristall gebildet, der mit der Schmelze eine Phasengrenzfläche fest/flüssig ausbildet, an welcher der Einkristall in eine Richtung senkrecht zur Phasengrenzfläche zur Schmelzoberfläche hinwächst. Dabei wird bei der Kristallzüchtung eine ebene Phasengrenzfläche erzeugt, die einen Krümmungsradius von mindestens einem Meter aufweist, indem man zwischen dem Boden (24) des Schmelzgefäßes (20) und dessen oberer Öffnung (26) einen senkrecht verlaufenden axialen Temperaturgradienten anlegt und einen durch die Seitenwände (22) verlaufenden Wärmezu- und/oder Wärmeabfluss vermeidet.

Abstract translation: 设备用于生长大体积单晶包括其中面向基部和任选的盖子的壳体（10）的熔体的坩埚（20）与侧壁（22），基座（24），一个顶部开口（26），（28） 是位于; 和至少一个加热元件（50，50“）。 至少一个加热元件被布置在所述熔体的坩埚（20），以防止侧向径向热流的侧壁上。 因此独立claimsoft包括用于使用上述器件生长大体积单晶的方法。 优选的特征：设置在所述侧壁上的元件防止横向热流所以没平面固/液相边界表面的晶体生长，其具有至少1μm的弯曲半径期间形成。 坩埚的底部具有圆锥形状。