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    Kristallzüchtungsanlage
    2.
    发明公开
    Kristallzüchtungsanlage 审中-公开

    公开(公告)号：EP2105522A3

    公开(公告)日：2011-11-02

    申请号：EP09008527.5

    申请日：2004-10-25

    申请人： PVA TePla AG

    发明人： Mühe, Andreas ,  Altekrüger, Burkhard ,  Vonhoff, Axel

    IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B15/30 ,  C30B15/14

    CPC分类号： C30B15/30 ,  C30B11/00 ,  C30B15/14 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10

    摘要： Die hier vorgestellte Erfindung bezieht sich auf eine Kristallzüchtungsanlage. Diese verfügt im Allgemeinen über einen Widerstandsheizer zum Beheizen der Schmelze (13) als auch über Feldspulen (Induktoren), die im Tiegel (11) ein Wechselmagnetfeld erzeugen, mit dem in der Schmelze (13) Ströme induziert werden.
    Die Erfindung sieht vor, dass der Widerstandsheizer zugleich als Feldspule ausgebildet ist, das heißt, von einem holzylindrischen Körper (1) gebildet wird, bei dem durch einen umlaufenden Schlitz (2) ein spiralförmiger, einlagiger Strompfad gebildet ist. Dies hat den Vorteil, dass der zur elektrischen Beheizung der Anlage benötigte Strom gleichzeitig zur Erzeugung eines magnetischen wanderfeldes benutzt wird. Dadurch sind weder separate Feldspulen noch eine separate Stromversorgung für die Feldspulen erforderlich. Weiterhin ist der auch als Feldspule dienende Widerstandsheizer, der zugleich als Spulenanordnung ausgebildet ist, hochtemperaturbeständig und umgibt unmittelbar die heiße Kernzone der Anlage und damit den Schmelzbereich. Dadurch wird das Volumen, innerhalb dessen das Magnetfeld erzeugt werden muss, minimiert. Weiterhin muss das magnetische Wechselfeld nicht die Kesselwand der Kristallzüchtungsanlage durchdringen, wodurch die Kesselwand in konventioneller weise als Stahlkessel ausgeführt werden kann .

    Kristallzüchtungsanlage
    3.
    发明公开
    Kristallzüchtungsanlage 审中-公开

    公开(公告)号：EP2105522A2

    公开(公告)日：2009-09-30

    申请号：EP09008527.5

    申请日：2004-10-25

    申请人： PVA TePla AG

    发明人： Mühe, Andreas ,  Altekrüger, Burkhard ,  Vonhoff, Axel

    IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B15/30 ,  C30B15/14

    CPC分类号： C30B15/30 ,  C30B11/00 ,  C30B15/14 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10

    摘要： Die hier vorgestellte Erfindung bezieht sich auf eine Kristallzüchtungsanlage. Diese verfügt im Allgemeinen über einen Widerstandsheizer zum Beheizen der Schmelze (13) als auch über Feldspulen (Induktoren), die im Tiegel (11) ein Wechselmagnetfeld erzeugen, mit dem in der Schmelze (13) Ströme induziert werden.
    Die Erfindung sieht vor, dass der Widerstandsheizer zugleich als Feldspule ausgebildet ist, das heißt, von einem holzylindrischen Körper (1) gebildet wird, bei dem durch einen umlaufenden Schlitz (2) ein spiralförmiger, einlagiger Strompfad gebildet ist. Dies hat den Vorteil, dass der zur elektrischen Beheizung der Anlage benötigte Strom gleichzeitig zur Erzeugung eines magnetischen wanderfeldes benutzt wird. Dadurch sind weder separate Feldspulen noch eine separate Stromversorgung für die Feldspulen erforderlich. Weiterhin ist der auch als Feldspule dienende Widerstandsheizer, der zugleich als Spulenanordnung ausgebildet ist, hochtemperaturbeständig und umgibt unmittelbar die heiße Kernzone der Anlage und damit den Schmelzbereich. Dadurch wird das Volumen, innerhalb dessen das Magnetfeld erzeugt werden muss, minimiert. Weiterhin muss das magnetische Wechselfeld nicht die Kesselwand der Kristallzüchtungsanlage durchdringen, wodurch die Kesselwand in konventioneller weise als Stahlkessel ausgeführt werden kann .

    摘要翻译： 晶体生长设备，即半导体晶体生长设备，包括线圈阵列，其包括由导电材料的中空圆柱体（1）制成的至少3个线圈，其由多次的狭缝（2）形成，单层 螺旋形电流路径，其被细分成段，每个线路由可以与电源连接的接触点（3-6）形成线圈。 晶体生长装置，优选半导体晶体生长装置包括用于熔体的可加热坩埚; 以及相对于坩埚同轴布置的线圈阵列，用于在熔体中产生磁场，其中线圈阵列包括至少三个线圈，它们轴向地彼此排列，并且通过每个交流电流流动，其中 线圈中的交流电与相邻线圈中的交流电相位相移。 线圈由导电材料的中空圆柱体制成，其由多次缠绕的狭缝形成单个分段的螺旋形电流路径，其分为段，每个线段由接触部分形成线圈 可以与电源连接的点。

    CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS
    5.
    发明授权
    CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS 有权
    化学气相沉积工艺

    公开(公告)号：EP1287187B1

    公开(公告)日：2009-06-17

    申请号：EP01930582.0

    申请日：2001-04-19

    申请人： MEMC Electronic Materials, Inc.

    发明人： STANDLEY Robert W. ,  YANG, Charles C.

    IPC分类号： C30B25/12

    CPC分类号： C30B29/06 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10

    摘要： A modified susceptor for use in an epitaxial deposition apparatus and process is disclosed. The modified susceptor has an inner annular ledge capable of supporting a semiconductor wafer and has a plurality of holes in the surface to allow cleaning gas utilized during an epitaxial deposition process to pass through the susceptor and contact substantially the entire back surface of the semiconductor wafer and remove a native oxide layer. Also, the plurality of holes on the susceptor allows dopant atoms out- diffused from the back surface during the epitaxial deposition process to be carried away from the front surface in an inert gas stream and into the exhaust such that autodoping of the front surface is minimized.

    摘要翻译： 公开了一种用于外延沉积设备和工艺的改进的基座。 改进的基座具有能够支撑半导体晶片的内环形凸缘，并且在表面中具有多个孔以允许在外延沉积工艺期间使用的清洁气体穿过基座并且基本上接触半导体晶片的整个背表面并且 去除原生氧化层。 而且，基座上的多个孔允许在外延沉积工艺期间从背表面向外扩散的掺杂​​剂原子被从惰性气体流中的前表面带走并进入废气，使得前表面的自动掺杂被最小化 。

    Method and apparatus of production of a semiconductor crystal
    6.
    发明授权
    Method and apparatus of production of a semiconductor crystal 有权
    方法和装置，用于制造半导体晶体，

    公开(公告)号：EP1895025B1

    公开(公告)日：2009-05-13

    申请号：EP07021740.1

    申请日：1998-12-22

    申请人： Sumitomo Electric Industries, Ltd.

    发明人： Hashio, Katsushi ,  Sawada, Shin-ichi ,  Tatsumi, Masami

    IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B15/00 ,  C30B29/42

    CPC分类号： C30B15/00 ,  C30B11/00 ,  C30B29/42 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1096

    摘要： An apparatus of producing a semiconductor crystal comprising a reactor tube having an open end in at least one end side, formed of any one material selected from the group consisting of silicon carbide, silicon nitride, aluminum nitride, and aluminum oxide, or of a composite material with any one material selected from the group consisting of silicon carbide, silicon nitride, aluminum nitride, boron nitride, aluminum oxide, magnesium oxide, mullite, and carbon as a base, and having an oxidation-proof or airtight film formed on a surface of the base, heat means arranged around said reactor tube in the atmosphere, a flange attached at said open end to seal said reactor tube and a crucible mounted in said reactor tube to store a material of said semiconductor crystal.

    QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL
    8.
    发明公开
    QUARTZ GLASS CRUCIBLE FOR PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL 有权
    石英玻璃坩埚的牵引硅

    公开(公告)号：EP1655270A4

    公开(公告)日：2008-07-09

    申请号：EP04734356

    申请日：2004-05-21

    申请人： SHINETSU QUARTZ PROD ,  HERAEUS QUARZGLAS

    发明人： OHAMA YASUO ,  TOGAWA TAKAYUKI ,  MIZUNO SHIGEO

    IPC分类号： C03B29/06 ,  C03B19/09 ,  C03B20/00 ,  C30B15/10

    CPC分类号： C03B19/095 ,  C03B2201/03 ,  C30B15/10 ,  Y02P40/57 ,  Y10S65/08 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10

    摘要： A quartz glass crucible for use in pulling up a silicon single crystal, wherein it has, at least in the curved portion thereof, a three-layer structure comprising a transparent inner layer being composed of a synthetic quartz glass and having a low Al concentration, a transparent or nontransparent intermediate layer being composed of a natural quartz glass or a mixture of natural and synthetic quartz glasses and having a high Al concentration, and a nontransparent outer layer being composed of a natural quartz glass and having an Al concentration higher than that of the intermediate layer. The quartz glass crucible is reduced in the deformation of the transparent inner layer, and allows the suppression of the change in the amount of dissolution of the quartz glass crucible associated with the pull-up of a single crystal and the achievement of the uniform oxygen concentration in the longitudinal direction of a single crystal.

    Grossvolumige orientierte Einkristalle mit homogener Brechzahl und geringer Spannungsdoppelbrechung
    9.
    发明公开
    Grossvolumige orientierte Einkristalle mit homogener Brechzahl und geringer Spannungsdoppelbrechung 审中-公开
    大体积的单晶取向具有均匀折射率和低双折射

    公开(公告)号：EP1754809A2

    公开(公告)日：2007-02-21

    申请号：EP06023376.4

    申请日：2000-08-08

    申请人： Schott AG

    发明人： Wehrhahn, Gunther, Dr. ,  Elzner, Peter ,  Mörsen, Ewald, Dr. ,  Schatter, Richard ,  Axmann, Hans-Jörg ,  Reichhardt, Thorsten

    IPC分类号： C30B29/12 ,  C30B11/00 ,  G02B5/30

    CPC分类号： C30B11/003 ,  C30B11/00 ,  C30B29/12 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10

    摘要： Es wird ein Verfahren zur Züchtung von großvolumigen Einkristallen mit einheitlicher Orientierung aus einer Schmelze aus Kristallrohmaterial in einer Vorrichtung beschrieben, die ein verschließbares Gehäuse (10) mit darin angeordneten Seitenwänden (22), einem Boden (24), eine dem Boden (24) gegenüberliegende obere Öffnung (26) sowie gegebenenfalls eine Abdeckung (28) aufweisendes Schmelzgefäß (20), sowie mindestens ein Heizelement (50, 50') umfasst, bei dem ein im Schmelzgefäß (20) vorliegendes Kristallrohmaterial mittels Heizelementen (50, 50') so lange auf eine Temperatur oberhalb des Schmelzpunktes erwärmt wird bis sich eine eine Oberfläche aufweisende Schmelze bildet. Danach wird durch Absenken der Temperatur auf mindestens den Kristallisationspunkt am Boden des Schmelzgefäßes ein Einkristall gebildet, der mit der Schmelze eine Phasengrenzfläche fest/flüssig ausbildet, an welcher der Einkristall in eine Richtung senkrecht zur Phasengrenzfläche zur Schmelzoberfläche hinwächst. Dabei wird bei der Kristallzüchtung eine ebene Phasengrenzfläche erzeugt, die einen Krümmungsradius von mindestens einem Meter aufweist, indem man zwischen dem Boden (24) des Schmelzgefäßes (20) und dessen oberer Öffnung (26) einen senkrecht verlaufenden axialen Temperaturgradienten anlegt und einen durch die Seitenwände (22) verlaufenden Wärmezu- und/oder Wärmeabfluss vermeidet.

    摘要翻译： 设备用于生长大体积单晶包括其中面向基部和任选的盖子的壳体（10）的熔体的坩埚（20）与侧壁（22），基座（24），一个顶部开口（26），（28） 是位于; 和至少一个加热元件（50，50“）。 至少一个加热元件被布置在所述熔体的坩埚（20），以防止侧向径向热流的侧壁上。 因此独立claimsoft包括用于使用上述器件生长大体积单晶的方法。 优选的特征：设置在所述侧壁上的元件防止横向热流所以没平面固/液相边界表面的晶体生长，其具有至少1μm的弯曲半径期间形成。 坩埚的底部具有圆锥形状。

    CREUSET POUR UN DISPOSITIF DE FABRICATION D’UN BLOC DE MATERIAU CRISTALLIN ET PROCEDE DE FABRICATION
    10.
    发明公开
    CREUSET POUR UN DISPOSITIF DE FABRICATION D’UN BLOC DE MATERIAU CRISTALLIN ET PROCEDE DE FABRICATION 有权
    坩埚一种用于生产结晶块及其制造方法

    公开(公告)号：EP1613795A2

    公开(公告)日：2006-01-11

    申请号：EP04742479.1

    申请日：2004-04-09

    申请人： Apollon Solar ,  Cyberstar ,  EFD Induction SA

    发明人： EINHAUS, Roland ,  LISSALDE, François ,  RIVAT, Pascal

    IPC分类号： C30B11/00

    CPC分类号： C30B29/605 ,  C30B11/002 ,  Y10S65/08 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1052

    摘要： Disclosed is a crucible, the thermal transfer properties of the bottom (7) of which are much greater than those of the sidewalls (8) parallel to an axis extending substantially perpendicular to the bottom (7). Said bottom (7) and the sidewalls (8) are made of materials that are provided with the same main chemical components. The bottom (7) can be transparent to infrared radiation while the sidewalls (8) can be opaque to infrared radiation. The bottom (7) can be made of amorphous silica while the sidewalls (8) can be made of a ceramic material consisting of opaque quartz. The crucible can also be made of graphite. The device can comprise a graphite felt (9) that is disposed between the bottom (7) of the crucible and cooling means (4), and means (10) for compressing the graphite felt (9), allowing a thermal gradient ranging between 8 °C/cm and 30 °C/cm to be defined in the liquid phase.