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    Verfahren zur Bestimmung der Strahlenbeständigkeit von Kristallen
    3.
    发明公开
    Verfahren zur Bestimmung der Strahlenbeständigkeit von Kristallen 审中-公开
    Verfahren zur Bestimmung derStrahlenbeständigkeitvon Kristallen

    公开(公告)号：EP1197477A1

    公开(公告)日：2002-04-17

    申请号：EP01124674.1

    申请日：2001-10-09

    申请人： Schott Glas ,  CARL-ZEISS-STIFTUNG trading as Schott Glas

    发明人： Mörsen, Ewald, Dr. ,  Speit, Burkhard, Dr. ,  Strenge, Lorenz ,  Kandler, Jörg, Dr.

    IPC分类号： C03C4/00

    CPC分类号： G01N21/31

    摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung der Strahlenbeständigkeit von Kristallen gegenüber Arbeitswellenlängen beim späteren Gebrauch durch Bestimmung der Änderung des Absorptionskoeffizienten vor und nach Bestrahlung des Kristalls mit einer energiereichen Strahlungsquelle. Dabei wird in einer ersten Messung am Kristall oder einem Spaltstück hiervon über einen zuvor festgelegten Wellenbereich von λ 1 bis λ 2 mittels eines Spektrophotometers ein Absorptionsspektrum A bestimmt und anschließend der Kristall oder das Spaltstück mit der energiereichen. Strahlungsquelle unter Ausbildung sämtlicher theoretisch möglicher Farbzentren bestrahlt. In einer zweiten Messung des so bestrahlten Kristalles bzw. Spaltstückes wird über den gleichen Wellenbereich von λ 1 bis λ 2 ein Absorptionsspektrum B bestimmt und das Flächenintegral des aus dem Absorptionsspekrum A und dem Absorptionsspektrum B gebildeten Differenzspektrums über den Bereich der Wellenlänge λ 1 bis λ 2 bestimmt und durch die Dicke D des Kristalles dividiert. Auf diese Weise läßt sich der beim späteren Gebrauch durch die Arbeitsstrahlung induzierbare Absorptionskoeffizient Δk bestimmen.

    摘要翻译： 用于确定晶体的辐射电阻的方法包括使用分光光度计测定特定波长上的吸收光谱; 辐射水晶; 并且在相同波长区域上确定进一步的吸收光谱。 确定由工作波长引起的吸收系数。 用于确定晶体的辐射电阻的方法包括使用分光光度计测定特定波长上的吸收光谱; 用能量丰富的辐射源辐射晶体，形成理论色彩中心; 并且在相同波长区域上确定进一步的吸收光谱。 在波长区域上形成由两个吸收光谱形成的微分光谱的表面积分除以规定的厚度，由此确定由工作波长引起的吸收系数。 优点：辐射源是X射线源或Co <60>。 晶体是氟化物晶体，优选CaF 2，BaF 2或LiF。