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1.发明公开Selective thin-coat gas sensor with high sensitivity and stability to detect and measure gaseous organic pollutants in the air on the basis of tungsten semi-conductor oxide, and method of producing the same 失效选择性薄涂层气体传感器，具有高灵敏度和稳定性，可以在基于氧化钨半导体氧化物的空气中检测和测量气态有机污染物及其生产方法
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2.发明授权Selektiver Dünnschicht-Gassensor hoher Empfindlichkeit und Stabilität zum Nachweis und zur Messung von gasförmigen Kohlenwasserstoff-Verunreinigungen in der Luft auf der Basis von Wolframoxid (WOx)-Halbleitern, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung 失效选择性薄层气体传感器，具有高灵敏度和稳定性，可根据氧化钨半导体氧化物检测和测量空气中的气体有机污染物及其生产方法
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3.发明公开Selektiver Dünnschicht-Gassensor hoher Empfindlichkeit und Stabilität zum Nachweis und zur Messung von gasförmigen Kohlenwasserstoff-Verunreinigungen in der Luft auf der Basis von Wolframoxid (WOx)-Halbleitern, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung 失效高的灵敏度和稳定性，用于检测和氧化钨（WO x）的半导体的基础上测量空气中气态烃的杂质的选择性薄膜的气体传感器，以及用于其制备的方法。
公开(公告)号：EP0046989A2
公开(公告)日：1982-03-10
申请号：EP81106679.4
申请日：1981-08-27
IPC分类号： G01N27/12
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf einen selektiven Dünnschicht-Gassensor hoher Empfindlichkeit und Stabilität zum Nachweis und zur Messung von gasförmigen Kohlenwasserstoff-Verunreinigungen in der Luft auf der Basis von Wolframoxid-Halbleitern auf Substraten aus Quarzglas, oxidiertem Silizium oder Keramik, bei dem der elektrische Widerstand der Wolframoxidschicht in Abhängigkeit von der Art und Konzentration des zu detektierenden Gases gemessen wird, sowie auf ein Verfahren zur Herstellung desselben. Dabei besteht der Wolframoxidhalbleiter aus einer gesputterten WO 3-δ -Dünnschicht (7), wobei δ 3 - δ -Dünnschicht (7) durch ein Edelmetall (8), insbesondere aus Platin bestehend, aktiviert und als Substrat (1, 2) ein oxidierter Siliziumkörper verwendet, der an seiner, der Sensordünnschicht (7, 8) abgewandten Oberfläche eine bis zur Entartung hochdotierte Oberflächenzone (3) aufweist, die zur direkten Beheizung mit Metallkontakten (5, 6) versehen ist (Figur 1). Die WO 3-δ -Dünnschicht (7) wird hergestellt durch reaktives HF-Sputtern von einem metallischen Wolframtarget in einer aus Argon bestehenden Sputteratmosphäre mit einem Sauerstoffgehalt von 3 % (Gesamtdruck 1.2. . 10 -3 mbar).
摘要翻译： 1.高灵敏度和稳定性用于检测和测量上具有钨氧化物半导体的由石英玻璃制成的基片，氧化硅，或陶瓷上的碱在空气中气态烃的杂质，worin的电阻的选择性薄层的气体传感器 氧化钨层取决于类型和气体的浓度进行检测，DASS溅射WO3增量 - 变薄层，其中0 <增量<0.2的钨氧化物半导体besteht。
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