公开(公告)号：EP4056740A1

公开(公告)日：2022-09-14

申请号：EP21161684.2

申请日：2021-03-10

申请人： Siltronic AG

发明人： Edmaier, Walter ,  Hecht, Hannes ,  Lauer, Michael ,  Lichtenegger, Korbinian

IPC分类号： C30B25/08 ,  C30B29/06 ,  C23C16/44 ,  C23C16/24 ,  C30B25/20

摘要： Verfahren zum Herstellen von Halbleiterscheiben mit epitaktischer Schicht in einer Kammer eines Abscheidereaktors einer Anlage, umfassend
das wiederholte Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe in der Kammer des Abscheidereaktors, wobei eine erste Anzahl von Halbleiterscheiben mit epitaktischer Schicht entsteht, und währenddessen
das Konditionieren einer Ersatzkammer des Abscheidereaktors außerhalb der Anlage durch Spülen der Ersatzkammer mit einem Spülgas;
das Unterbrechen des wiederholten Abscheidens einer epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe;
das Ersetzen der Kammer durch die Ersatzkammer; und
das Fortsetzen des wiederholten Abscheidens einer epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe in der Ersatzkammer des Abscheidereaktors, wobei eine zweite Anzahl von Halbleiterscheiben mit epitaktischer Schicht entsteht.

公开(公告)号：EP3905311A1

公开(公告)日：2021-11-03

申请号：EP20171534.9

申请日：2020-04-27

申请人： Siltronic AG

发明人： Stettner, Thomas ,  Edmaier, Walter ,  Hecht, Hannes ,  Lichtenegger, Korbinian

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23C16/458 ,  C30B25/10

摘要： Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Substratscheibe aus Halbleitermaterial. Das Verfahren umfasst
das Anordnen der Substratscheibe und eines Suszeptors in einer Abscheidevorrichtung so, dass die Substratscheibe auf dem Suszeptor aufliegt und der Suszeptor von Armen einer Tragwelle gehalten wird;
das Überprüfen, ob eine Fehlanordnung des Suszeptors bezüglich dessen Lage relativ zur Lage eines ihn umgebenden Vorheizrings besteht;
das Überprüfen, ob eine Fehlanordnung der Tragwelle bezüglich deren Lage relativ zur Lage des Vorheizrings besteht;
beim Vorliegen von mindestens einer der Fehlanordnungen, das Beseitigen der jeweiligen Fehlanordnung; und
das Abscheiden der epitaktischen Schicht auf der Substratscheibe.