Substrats métalliques isolés et procédé de fabrication desdits substrats
    1.
    发明公开
    Substrats métalliques isolés et procédé de fabrication desdits substrats 失效
    Isolierte metallische Substrate und Verfahren zur Herstellung dieser Substrate。

    公开(公告)号:EP0395544A1

    公开(公告)日:1990-10-31

    申请号:EP90420202.5

    申请日:1990-04-23

    IPC分类号: H05K1/05 H01L23/14 C25D11/12

    摘要: Substrats comportant une embase d'aluminium, un isolant constitué d'une pellicule d'alumine obtenue par anodisation de ladite embase sur au moins une de ses faces et au moins un film métallique destiné à être transformé par gravure chimique en un réseau de conducteurs caractérisés en ce que ladite pellicule d'alumine est formée d'une zone compacte uniforme, adhérente à l'aluminium, ayant une épaisseur supérieure à 500 nm et d'une couche poreuse à surface externe rugueuse.
    Le procédé permettant d'obtenir de tels substrats est caractérisé en ce que l'embase est soumise sur au moins une de ses faces à un traitement dans un bain d'anodisation poreuse puis dans un bain d'anodisation dite "barrière".
    Cette invention trouve son application dans la réalisation de substrats pour circuits d'interconnection simple face, et double face à trous métallisés, circuits conducteurs multicouches, lesdits substrats étant à conformation plane ou spatiale, et de réseaux résistifs.

    摘要翻译: 基材包括铝基材,由通过在其至少一个表面上阳极氧化所述基材而得到的氧化铝的薄膜和通过化学蚀刻转化为导体网络的至少一种金属薄膜构成的绝缘体,其特征在于, 所述氧化铝膜由均匀的致密区域组成,附着在厚度大于500nm的铝上以及具有粗糙外表面的多孔层。 ...获得能够获得这种基材的方法的特征在于,将基底的至少一个表面经受多孔阳极氧化浴中的处理,然后在所谓的“屏障”阳极氧化浴中进行处理。 ...本发明可以应用于制造具有金属化孔的单面和双面互连电路的衬底,多层导电电路,所述衬底具有平面或空间配置以及电阻网络。