公开(公告)号：EP0401070A1

公开(公告)日：1990-12-05

申请号：EP90401258.0

申请日：1990-05-11

申请人： THOMSON COMPOSANTS MILITAIRES ET SPATIAUX

发明人： Roy, François ,  Thenoz, Yves ,  Tassin, Catherine

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/796 ,  H01L27/148

CPC分类号： H01L29/1091 ,  H01L27/14831 ,  H01L29/768

摘要： L'invention concerne les dispositifs à transfert de charges, et tout spécialement les matrices et les barrettes photosensibles. Ces dispositifs sont réalisés sur un substrat semiconducteur portant des grilles servant à effectuer les transferts de charge en fonction des séquences de potentiels qu'elles reçoivent. Ces potentiels sont référencés par rapport à un potentiel de référence, par exemple la masse, et en général le substrat est relié à la masse par un contact ohmique métallisé en face arrière du substrat. Pour les matrices photosensibles sur substrat aminci, on utilise un contact ohmique en face avant, mais cela nécessite des opérations technologiques supplémentaires. Selon l'invention, on a constaté qu'on pouvait relier le substrat (10, 12) au potentiel de référence (M) non pas par un contact ohmique mais par un contact redresseur, par exemple par l'intermédiaire d'une jonction PN (30, 40, 12). Le substrat n'est plus à potentiel fixe, mais le fonctionnement n'est en général pas perturbé. De plus, certains défauts tels que les "points blancs" de matrices photosensibles sont éliminés.

摘要翻译： 本发明涉及电荷转移装置，尤其涉及光敏矩阵和线性阵列。 这些器件是在半导体衬底上生产的，该半导体衬底承载着用于实现电荷转移的栅格，作为它们接收的电位序列的函数。 这些电位参考相对于参考电位，例如地球，并且通常，衬底通过衬底背面上的金属化欧姆接触连接到地球。 关于薄型衬底上的光敏矩阵，使用前端欧姆接触，但这需要额外的技术操作。 根据本发明，已经观察到，衬底（10,12）可以不通过欧姆接触而连接到参考电位（M），而是通过整流器接触，例如经由PN结（30,40,12 ）。 然后，基板不再处于固定电位，但是操作通常不受干扰。 此外，消除了诸如感光性基质的“白点”等某些缺陷。