公开(公告)号：EP0065443B1

公开(公告)日：1985-01-23

申请号：EP82400785.0

申请日：1982-04-29

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Carnez, Bernard ,  Bessonneau, Guy ,  Derewonko, Henri ,  Chambaudu, Georges

IPC分类号： H01L23/56 ,  H01L23/04

CPC分类号： H01L23/047 ,  H01L23/647 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP0065443A1

公开(公告)日：1982-11-24

申请号：EP82400785.0

申请日：1982-04-29

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Carnez, Bernard ,  Bessonneau, Guy ,  Derewonko, Henri ,  Chambaudu, Georges

IPC分类号： H01L23/56 ,  H01L23/04

CPC分类号： H01L23/047 ,  H01L23/647 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： L'invention concerne les semiconducteurs de type III-V et assimilés, qui travaillent à très hautes fréquences, jusque 100 GHz.
De tels semiconducteurs sont encapsulés dans des boîtiers comprenant un cadre isolant (2), traversé par au moins une connexion d'entrée (5) et une connexion de sortie (6). Ces boitiers sont fermés par un couvercle isolant (3) fixé par soudure au moyen de deux métallisations (7, 8) sur le cadre et le couvercle. Un couplage existe entre les connexions (5, 6) par l'intermédiaire de condensateurs parasites (13, 14) formés par chaque connexion et le ruban de métallisation (7,8) à l'aplomb des connexions, ces condensateurs étant réunis par une ligne de propagation constituée par la soudure de fermeture du couvercle (3). Selon l'invention, le couvercle (3) est recouvert par une métallisation résistive (12), en contact avec la métallisation de soudure (8): la métallisation résistive et les condensateurs parasites constituent ainsi une ligne à pertes.
Application à l'amélioration de l'isolement et des connexions d'entrées/sorties des semiconducteurs de puissance.

摘要翻译： 1.一种用于功率半导体的胶囊壳体，具有2至20GHz的操作频率，包括其上安装有半导体晶片的基板（1），由至少两个外部连接横切的绝缘框架（2） 所谓的输入（5）和输出（6），提供对半导体的访问;以及绝缘盖（3），其绝缘盖（3）通过沉积在自由表面上的金属层（7）通过黄铜 框架（2）和沉积在面向框架（2）的盖（3）表面（9）上的金属层（8），其特征在于，覆盖物（3）由电阻器金属化涂覆，其被沉积在 绝缘材料，其与用于封闭壳体的金属化（8）电接触。