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    Thermoelectric semiconductor and fabrication process thereof
    3.
    发明公开
    Thermoelectric semiconductor and fabrication process thereof 失效
    Thermoelektrischer Halbleiter和Herstellungsverfahrendafür

    公开(公告)号：EP0821417A2

    公开(公告)日：1998-01-28

    申请号：EP97202347.7

    申请日：1997-07-25

    申请人： TECHNOVA INC. ,  Engineering Advancement Association of Japan

    发明人： Tsuno, Katsuhiro ,  Tosho, Tsuyoshi ,  Watanabe, Hideo

    IPC分类号： H01L35/34 ,  H01L35/22

    CPC分类号： H01L35/08 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34 ,  Y10S257/93

    摘要： A thermoelectric semiconductor is formed of a sintered semiconductor layer (13) and metal layers (14,14) arranged on sides of opposite end faces of the sintered semiconductor layer (13). These metal layers are to inhibit a reaction between the sintered semiconductor layer (13) and solder layers through which electrodes are joined to the sintered semiconductor layer (13). The sintered semiconductor layer (13) and the metal layers (14,14) have been obtained beforehand by integrally sintering a semiconductor powder layer and metal sheets arranged on sides of opposite end faces of the semiconductor powder layer.

    摘要翻译： 热电半导体由烧结半导体层（13）和布置在烧结半导体层（13）的相对端面的侧面上的金属层（14,14）形成。 这些金属层用于抑制烧结半导体层（13）与电极与烧结半导体层（13）接合的焊料层之间的反应。 通过将半导体粉末层和设置在半导体粉末层的相对端面的金属片上的一体烧结来预先获得烧结半导体层（13）和金属层（14,14）。