公开(公告)号：EP1418653A1

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：EP02736049.4

申请日：2002-06-11

申请人： The Furukawa Electric Co., Ltd.

发明人： YOSHIDA, Junji ,  TSUKIJI, Naoki ,  KIMURA, Toshio ,  NAKAE, Masashi ,  AIKIYO, Takeshi

IPC分类号： H01S5/22

CPC分类号： H01S5/4031 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/4206 ,  G02B6/4218 ,  H01S3/094003 ,  H01S3/094073 ,  H01S3/302 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/02438 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/1096 ,  H01S5/12 ,  H01S5/125 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3215 ,  H01S5/3409 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4062 ,  H01S5/4087

摘要： A semiconductor laser device with two active-layer stripe structures has an n-InP substrate (1), an n-InP clad layer (2), a lower GRIN-SCH layer (3b), an active layer (4b), an upper GRIN-SCH layer (5b), a p-InP clad layer (6), and a p-InGaAsP contact layer (7) laminated in this order, in a side cross section including one of the stripe structure. A high-reflection film (12) is disposed on a reflection-side end surface, and a low-reflection film (13) is disposed on an emission-side end surface. A p-side electrode (8b) is disposed on only a part of the upper surface of the p-InGaAsP contact layer (7) so that a current non-injection area (14) is formed on the rest of the area.

摘要翻译： 具有两个有源层条纹结构的半导体激光器件具有n-InP衬底（1），n-InP覆盖层（2），下部GRIN-SCH层（3b），有源层（4b），上部 GRIN-SCH层（5b），p-InP覆盖层（6）和p-InGaAsP接触层（7），在包括条纹结构之一的侧截面中。 高反射膜（12）设置在反射侧端面上，低反射膜（13）设置在发光侧端面。 p侧电极（8b）仅设置在p-InGaAsP接触层（7）的上表面的一部分上，使得在该区域的其余部分上形成电流的非注入区域（14）。