HERSTELLUNG VON MOO2CL2
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:EP4019470A1

    公开(公告)日:2022-06-29

    申请号:EP20020649.8

    申请日:2020-12-23

    IPC分类号: C01G39/04

    摘要: Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von MoO 2 Cl 2 unter inerten Bedingungen, umfassend die Schritte:
    (i) Vorlegen von MoO 2 in einem Reaktionsgefäß,
    (ii) Umsetzen des MoO 2 in dem Reaktionsgefäß bei einer ersten Temperatur T 1 mit zugeführtem Cl 2 zu gasförmigem MoO 2 Cl 2 ,
    (iii) Überführen des gasförmigen MoO 2 Cl 2 in ein Auffanggefäß,
    (iv) Resublimieren des gasförmigen MoO 2 Cl 2 in dem Auffanggefäß zu festem MoO 2 Cl 2 bei einer zweiten Temperatur T 2 , die niedriger als T 1 liegt, und
    (v) Rückgewinnen von festem MoO 2 Cl 2 mit einer Reinheit bestimmt durch ICP-OES/MS von 99,9996 Gew.-% oder mehr.
    Weitere Gegenstände der Erfindung sind hochreines MoO 2 Cl 2 , dessen Verwendung und Elektronikkomponenten.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON ALKYLINDIUM-VERBINDUNGEN UND DEREN VERWENDUNG

    公开(公告)号:EP3036242A1

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:EP14752341.9

    申请日:2014-08-18

    IPC分类号: C07F5/00 B01J19/12

    CPC分类号: C07F5/00

    摘要: The invention relates to a method for the cost-effective and environmentally friendly production of dialkyl indium chloride in high yield and with high selectivity and purity. The dialkyl indium chloride produced according to the invention is particularly suitable, also as a result of the high purity and yield, for the production, on demand, of indium-containing precursors in high yield and with high selectivity and purity. As a result of the high purity, the indium-containing precursors that can be produced are particularly suitable for metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) or metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE). The novel method according to the invention is characterised by the improved execution of the method, in particular a rapid process control. Owing to targeted and extensive use of raw materials that are cost-effective and have a low environmental impact, the method is also suitable for use on an industrial scale.

    摘要翻译: 本发明涉及一种以高产率且高选择性和纯度的高成本效益且环境友好地生产氯化二烷基铟的方法。 根据本发明生产的二烷基氯化铟特别适用于高产率且高选择性和纯度的含铟前体的高纯度和高产率。 由于高纯度,可生产的含铟前体特别适用于金属有机化学气相沉积(MOCVD)或金属有机气相外延(MOVPE)。 根据本发明的新颖方法的特征在于该方法的改进的执行,特别是快速的过程控制。 由于具有成本效益且对环境影响较小的原材料的针对性和广泛使用,该方法也适用于工业规模。