摘要:
Die Erfindung betrifft einen Hochtemperatursensor zur Temperaturmessung gasförmiger Medien, insbesondere zur Messung der Abgastemperatur von Kraftfahrzeugen, mit einem Widerstandssensor und einem Schutzrohr und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Hochtemperatursensor und ein Verfahren zu seiner Herstellung anzugeben, der für den Einsatz in chemisch aggressiven Medien mit hohen Schwingungsbeanspruchungen geeignet ist, sich durch ein schnelles Ansprechen auszeichnet und der kostengünstig herstellbar ist. Die Aufgabe wird erfindungsgemäß mit einem Hochtemperatursensor gelöst, bei dem in dem in das Medium ragenden vorderen Bereich des Schutzrohres (7) ein Hochtemperaturbauelement angeordnet ist, welches über ein Zwischenteil (9) mit dem Schutzrohr (7) gasdicht verbunden ist, wobei sich im Hochtemperaturbauelement ein Hochtemperaturchip (1) befindet, dessen Chipanschlussdrähte (2.2) im vorderen Bereich mit auf der dem Prozessmedium zugewandten Seite mit den Anschlussleitungen (2) verbunden sind, welche parallel neben dem Hochtemperaturchip (1) zu einer im Schutzrohr befestigten Mantelleitung (6) geführt werden.
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Die Erfindung betrifft einen Hochtemperatursensor zur Temperaturmessung gasförmiger Medien, insbesondere zur Messung der Abgastemperatur von Kraftfahrzeugen, mit einem Widerstandssensor und einem Schutzrohr und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Hochtemperatursensor und ein Verfahren zu seiner Herstellung anzugeben, der für den Einsatz in chemisch aggressiven Medien mit hohen Schwingungsbeanspruchungen geeignet ist, sich durch ein schnelles Ansprechen auszeichnet und der kostengünstig herstellbar ist. Die Aufgabe wird erfindungsgemäß mit einem Hochtemperatursensor gelöst, bei dem in dem in das Medium ragenden vorderen Bereich des Schutzrohres (7) ein Hochtemperaturbauelement angeordnet ist, welches über ein Zwischenteil (9) mit dem Schutzrohr (7) gasdicht verbunden ist, wobei sich im Hochtemperaturbauelement ein Hochtemperaturchip (1) befindet, dessen Chipanschlussdrähte (2.2) im vorderen Bereich mit auf der dem Prozessmedium zugewandten Seite mit den Anschlussleitungen (2) verbunden sind, welche parallel neben dem Hochtemperaturchip (1) zu einer im Schutzrohr befestigten Mantelleitung (6) geführt werden.
摘要:
Die Erfindung betrifft einen Hochtemperatursensor, bei dem auf einem Trägerkörper ein temperaturabhängiger Messwiderstand angeordnet ist und ein Verfahren zu dessen Überprüfung. Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren und einen Hochtemperatursensor anzugeben, mit denen Messungen in einem Temperatureinsatzbereich von mehr als 1.000°C dauerhaft durchgeführt werden können, wobei der Sensor hohen mechanischen und chemischen Belastungen standhält, kostengünstig hergestellt werden kann und darüber hinaus eine Überwachung der Messgenauigkeit ermöglicht werden soll. Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit einem Hochtemperatursensor gelöst, bei dem der Trägerköper (4) aus einem Keramikplättchen besteht und mit einer Nanoschicht (2) aus Al 2 O 3 versehen ist, wobei der Messwiderstand (R M ) in Form einer Interdigitalstruktur (1) aufgebracht ist und die Anschlüsse des Messwiderstandes (R M ) in einer Parallelschaltung mit dem Isolationswiderstand (R I ) des Trägerkörpers und dem kapazitiven Widerstand der Gesamtanordnung über äußeren Anschlussleitungen (6.1, 6.2) mit einer Auswerteelektronik verbunden sind.
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Die Erfindung betrifft einen Hochtemperatursensor, bei dem auf einem Trägerkörper ein temperaturabhängiger Messwiderstand angeordnet ist und ein Verfahren zu dessen Überprüfung. Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren und einen Hochtemperatursensor anzugeben, mit denen Messungen in einem Temperatureinsatzbereich von mehr als 1.000°C dauerhaft durchgeführt werden können, wobei der Sensor hohen mechanischen und chemischen Belastungen standhält, kostengünstig hergestellt werden kann und darüber hinaus eine Überwachung der Messgenauigkeit ermöglicht werden soll. Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit einem Hochtemperatursensor gelöst, bei dem der Trägerköper (4) aus einem Keramikplättchen besteht und mit einer Nanoschicht (2) aus Al 2 O 3 versehen ist, wobei der Messwiderstand (R M ) in Form einer Interdigitalstruktur (1) aufgebracht ist und die Anschlüsse des Messwiderstandes (R M ) in einer Parallelschaltung mit dem Isolationswiderstand (R I ) des Trägerkörpers und dem kapazitiven Widerstand der Gesamtanordnung über äußeren Anschlussleitungen (6.1, 6.2) mit einer Auswerteelektronik verbunden sind.