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    SILICON BASED SUBSTRATE WITH A CTE COMPATIBLE LAYER ON THE SUBSTANCE
    5.
    发明公开
    SILICON BASED SUBSTRATE WITH A CTE COMPATIBLE LAYER ON THE SUBSTANCE 审中-公开
    在物质上具有CTE兼容层的硅基衬底

    公开(公告)号：EP1498401A2

    公开(公告)日：2005-01-19

    申请号：EP04021906.5

    申请日：2002-12-17

    申请人： United Technologies Corporation

    发明人： Sun, Ellen Y. ,  Eaton, Harry E.

    IPC分类号： C04B41/87 ,  C04B41/89 ,  C23C4/10 ,  F01D5/28

    CPC分类号： C04B41/009 ,  C04B41/5051 ,  C23C4/11 ,  C23C28/04 ,  C23C28/048 ,  C23C30/00 ,  F01D5/288 ,  F05D2230/90 ,  F05D2300/222 ,  F05D2300/50211 ,  F05D2300/611 ,  C04B41/4527 ,  C04B41/5027 ,  C04B41/5024 ,  C04B35/565 ,  C04B35/584 ,  C04B35/806 ,  C04B35/597

    摘要： An article comprising a substrate containing silicon and at least one layer which contains a coefficient of thermal expansion (CTE) tailoring additive in an amount sufficient to maintain a compatible CTE with at least one adjacent layer and the substrate. In one embodiment there is provided an article comprising a silicon containing substrate and at least one layer comprising a niobate selected from the group comprising niobates of the formula a(alkaline earth metal oxide)•b(NbO x ) where x = 1 to 3 and b = 1/3a to 3a, NbO x in an amount of 1 to 75 wt.% to an oxide selected from the group consisting of MgO, CaO, SrO, BaO, Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , L 2 O 3 , rare earth oxides and mixtures thereof where x = 1 to 3 (for example NbO, NbO 2 , Nb 2 O 3 , Nb 2 O 5 ), particularly Nb 2 O 5 •Al 2 O, and 2BaO•2SrO•3Nb 2 O 5 .

    摘要翻译： 包含含硅基材和至少一层含有足以维持与至少一个相邻层和基材的相容性CTE的热膨胀系数（CTE）定制添加剂的层的制品。 在一个实施方案中，提供了包含含硅基材和至少一个层的制品，所述层包含铌酸盐，所述铌酸盐选自式a（碱土金属氧化物）·b（NbO x）的铌酸盐，其中x = 1至3，并且b = 1 / 3a至3a，选自MgO，CaO，SrO，BaO，Al 2 O 3，Y 2 O 3，L 2 O 3，稀土氧化物及其混合物的氧化物的量为1至75重量％的NbO x，其中x = 1至3（例如NbO，NbO 2，Nb 2 O 3，Nb 2 O 5），特别是Nb 2 O 5·Al 2 O和2BaO·2SrO·3Nb 2 O 5。