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    Verfahren zur Nasschemischen Behandlung von Halbleiteroberflächen und Lösung zu seiner Durchführung
    1.
    发明公开
    Verfahren zur Nasschemischen Behandlung von Halbleiteroberflächen und Lösung zu seiner Durchführung 失效
    过程的湿化学处理半导体表面的溶液和其实施。

    公开(公告)号：EP0438727A2

    公开(公告)日：1991-07-31

    申请号：EP90124494.7

    申请日：1990-12-18

    申请人： Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH

    发明人： Schnegg, Anton, Dr. Dipl.-Chem. ,  Nussstein, Peter, Dr. Dipl.-Chem. ,  Fabry, Laszlo, Dr. Dipl.-Chem. ,  Valouch, Gertrud

    IPC分类号： H01L21/306

    CPC分类号： H01L21/02052 ,  Y10S438/974

    摘要： Bei der Behandlung von Halbleiter-, insbesondere Siliciumscheiben mit wäßrigen flußsäurehaltigen Lösungen wird in der Regel eine Kontamination der Scheibenoberfläche mit die nachfolgenden Prozesse störenden Partikeln beobachtet. Diese Partikelzunahme kann dadurch deutlich verringert werden, daß den Lösungen zusätzlich zur Bildung von Einschlußverbindungen befähigte organische Ringmoleküle, wie etwa Cyclodextrine, und/oder Säuren mit pK s -Wert unterhalb 3.14, die das Halbleitermaterial nicht zu oxidieren vermögen, beigemischt werden. Die eigentliche Behandlung kann in der üblichen Weise z.B. in Tauchbädern durchgeführt werden.

    摘要翻译： 在处理半导体片的，特别是硅薄片，用wässrige溶液含有氢氟酸，片表面的有与随后的过程干扰颗粒的污染已经观察到。 这种增加颗粒可以通过额外地增加了解决方案可以显着降低，有机环分子能够形成包合物，颜色：如，例如，环糊精，和/或与pKa的酸下面14.3哪些是无法半导体材料氧化的。 实际处理，可以以通常的方式来进行，例如，在浸浴。

    Verfahren zur Nasschemischen Behandlung von Halbleiteroberflächen und Lösung zu seiner Durchführung
    2.
    发明公开
    Verfahren zur Nasschemischen Behandlung von Halbleiteroberflächen und Lösung zu seiner Durchführung 失效
    用于液相处理半导体表面的方法和解决方案

    公开(公告)号：EP0438727A3

    公开(公告)日：1992-01-02

    申请号：EP90124494.7

    申请日：1990-12-18

    申请人： Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH

    发明人： Schnegg, Anton, Dr. Dipl.-Chem. ,  Nussstein, Peter, Dr. Dipl.-Chem. ,  Fabry, Laszlo, Dr. Dipl.-Chem. ,  Valouch, Gertrud

    IPC分类号： H01L21/306

    CPC分类号： H01L21/02052 ,  Y10S438/974

    摘要： Bei der Behandlung von Halbleiter-, insbesondere Siliciumscheiben mit wäßrigen flußsäurehaltigen Lösungen wird in der Regel eine Kontamination der Scheibenoberfläche mit die nachfolgenden Prozesse störenden Partikeln beobachtet. Diese Partikelzunahme kann dadurch deutlich verringert werden, daß den Lösungen zusätzlich zur Bildung von Einschlußverbindungen befähigte organische Ringmoleküle, wie etwa Cyclodextrine, und/oder Säuren mit pK s -Wert unterhalb 3.14, die das Halbleitermaterial nicht zu oxidieren vermögen, beigemischt werden. Die eigentliche Behandlung kann in der üblichen Weise z.B. in Tauchbädern durchgeführt werden.

    摘要翻译： 在用包含氢氟酸的水溶液处理半导体切片，特别是硅切片时，观察到切片表面与干扰后续过程的颗粒的污染。 通过向溶液中添加能够形成包含化合物的有机环分子，例如环糊精，和/或pKa低于3.14的酸，其不能氧化半导体材料，可以显着降低颗粒的这种增加。 实际的治疗方法可以用通常的方式进行，例如在浸浴中。

    Verfahren und Vorrichtung zum Ätzen von Halbleiteroberflächen
    3.
    发明公开
    Verfahren und Vorrichtung zum Ätzen von Halbleiteroberflächen 失效
    用于蚀刻半导体表面的方法和装置。

    公开(公告)号：EP0304857A2

    公开(公告)日：1989-03-01

    申请号：EP88113678.2

    申请日：1988-08-23

    申请人： Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH

    发明人： Schnegg, Anton, Dr. Dipl.-Chem. ,  Prigge, Helene, Dr. Dipl.-Chem. ,  Brehm, Gerhard, Dr. Dipl.-Ing. ,  Rurländer, Robert ,  Ketterl, Fritz, Dr. Dipl.-Che.

    IPC分类号： H01L21/306 ,  C23F1/46 ,  C23F1/24

    CPC分类号： H01L21/02019 ,  H01L21/30604

    摘要： Es werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Ätzen von Halbleiteroberflächen, insbesondere von Silicium, angegeben. Als Ätzmittel wird vorteilhaft eine Mischung eingesetzt, die Verbindungen auf Stickstoff-Sauerstoffbasis als oxidierende Komponente, als das Oxidationsprodukt auflösende Komponente Flußsäure und als Trägermedium Schwefelsäure, ggf. unter Phosphorsäurezusatz, verwendet. Diese Mischung gestattet es, den Prozeß als Kreisprozeß zu gestalten, wobei letztendlich der dem System zugeführte Sauerstoff eine Oxidation des zu ätzenden Materials bewirkt, und das Produkt dieser Oxidation aus dem Kreislauf entfernt wird. Das Verfahren zeichnet sich durch geringen Chemikalienverbrauch und große Umweltfreund­lichkeit aus.

    摘要翻译： 有一种方法和用于蚀刻半导体的表面，尤其硅的装置，其中，指示。 作为使用的蚀刻液是有利的化合物的混合物的氮 - 氧 - 基于氧化组分作为氧化产物解决组件氢氟酸和用作载体介质硫酸，任选加入磷酸。 这种混合物使得有可能使该过程作为一个循环过程中最终导致提供给系统中的氧，该材料的氧化被蚀刻，并且该氧化的产物从循环中除去。 该方法的特征在于通过化学品的低功耗和对环境负责的邻居。

    Verfahren zum schleierfreien Polieren von Halbleiterscheiben
    9.
    发明公开
    Verfahren zum schleierfreien Polieren von Halbleiterscheiben 失效
    一种用于半导体晶片的无混浊抛光方法。

    公开(公告)号：EP0311994A2

    公开(公告)日：1989-04-19

    申请号：EP88116896.7

    申请日：1988-10-12

    申请人： Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH

    发明人： Prigge, Helene, Dr. Dipl.-Chem. ,  Schnegg, Anton, Dr. Dipl.-Chem. ,  Brehm, Gerhard, Dr. Dipl.-Ing. ,  Jacob, Herbert, Dr. Dipl.-Chem.

    IPC分类号： H01L21/302 ,  B24B1/00

    CPC分类号： H01L21/30625

    摘要： Es wird ein Polierverfahren angegeben, bei dem sich in einem Einstufenprozeß schleierfreie Halbleiteroberflächen erhalten lassen. Erfindungsgemäß wird an eine in der üblichen Art und Weise im alkalischen durchgeführten Anfangsphase des Polier­vorganges eine Endphase angeschlossen, in der bei pH 3 bis 7 in Gegenwart von den Polierabtrag vermindernden Zusatzstoffen im Poliermittel poliert wird, wobei ggf. auf mechanisch wirksame Poliermittelkomponenten verzichtet werden kann. Beide Phasen lassen sich ohne Unterbrechung des Polierens auf ein und demselben Gerät durchführen.

    摘要翻译： 本发明公开了可以在其中雾 - 自由在一个单级的半导体表面接收到的抛光工艺。 根据本发明的最后阶段被连接到一个在抛光操作连接的碱性初始阶段进行的通常的方式，在pH范围3进行抛光，以便7中的抛光磨损添加剂的递减在抛光剂的存在下，其中可以任选地与有效的机械抛光部件分配。 这两个阶段可以在不中断在同一设备上的研磨来进行。