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公开(公告)号：EP3799943B1
公开(公告)日：2024-08-28
申请号：EP20198057.0
申请日：2016-10-12
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公开(公告)号：EP3804841B1
公开(公告)日：2024-07-03
申请号：EP20211873.3
申请日：2017-12-28
CPC分类号： B01D61/425 , B01D67/0088 , B01D71/68 , B01D2311/268420130101 , B01D2313/34520130101
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3.发明授权
公开(公告)号：EP3562574B1
公开(公告)日：2024-07-10
申请号：EP17837888.1
申请日：2017-12-28
CPC分类号： B01D61/425 , B01D67/0088 , B01D71/68 , B01D2311/268420130101 , B01D2313/34520130101
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公开(公告)号：EP3368184B8
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：EP16860496.5
申请日：2016-10-12
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5.发明公开
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公开(公告)号：EP3115099B1
公开(公告)日：2019-09-04
申请号：EP15175700.2
申请日：2015-07-07
申请人： I3 Membrane GmbH
IPC分类号： B01D15/38 , C02F1/469 , C23C16/455 , C02F103/34 , C02F101/30 , C02F1/44 , B01D71/02 , B01D67/00 , B01D61/42 , B01D71/68 , C23C16/04 , C02F1/461
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7.发明公开METALLBESCHICHTETER POLYMEMBRAN UND VERFAHREN ZUR ELEKTROFILTRATION UND ELEKTRO-SORPTION MITTELS EINER METALLBESCHICHTETEN POLYMEMBRAN 有权METALLBESCHICHTETER POLYMEMBRAN UND VERFAHREN ZUR ELEKTROFILATION IN ELEKTRO-SORPTION MITTELS EINER METALLBESCHICHTETEN POLYMEMBRAN
公开(公告)号：EP3115099A1
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：EP15175700.2
申请日：2015-07-07
申请人： I3 Membrane GmbH
CPC分类号： B01D61/425 , B01D67/0072 , B01D67/0088 , B01D71/022 , B01D71/68 , B01D2311/2684 , B01D2313/345 , B01D2323/28 , B01D2323/283 , C02F1/444 , C02F1/469 , C02F2001/46138 , C02F2001/46161 , C02F2101/30 , C02F2103/343 , C02F2201/4613 , C02F2303/16 , C23C16/045 , C23C16/06 , C23C16/403 , C23C16/45525 , C23C16/45555
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine metallbeschichtete Polymermembran, ein Verfahren zu deren Herstellung, eine Elektrofiltration- oder -sorptionsvorrichtung sowie ein Verfahren zur Elektrofiltration und Elektrosorption mittels einer metallbeschichteten Polymembran.
Aufgabe ist es ein Verfahren zur einfachen Herstellung einer Polymermembran mit Metallbeschichtung anzugeben, die sich zum Einsatz in der Elektrofiltration und/oder Elektrosorption eignet, ohne dabei die Porosität und damit die Filtrationseigenschaften der Membran wesentlich zu verringern bzw. die Poren zu verschließen.
Aufgabe ist es auch ein Verfahren zur einfachen Herstellung einer sehr widerstandsfähigen, bioziden und/oder inerten Membran auf Basis einer Polymermembran.
Aufgabe ist es auch, eine effektivere Vorrichtung und ein effektiveres Verfahren zur Elektrofiltration und/oder Elektrosorption anzugeben.
Gelöst werden die Aufgaben unter anderem durch ein mittels ALD mit Metall beschichte Polymermembran, die Beschichtung einer Polymermembran mit Metall mittels ALD und den Einsatz einer metallbeschichteten Polymermembran zur Elektrofiltration und/oder Elektroadsorption bzw. in einer entsprechenden Vorrichtung.摘要翻译： 金属包覆的聚合物膜，其制备方法，电沉积装置或电吸收装置，以及使用金属涂覆的聚合物膜的电渗和电吸收的方法。 聚合物膜使用原子层沉积（ALD）涂覆金属。
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公开(公告)号：EP4429793A1
公开(公告)日：2024-09-18
申请号：EP23840983.3
申请日：2023-12-27
申请人： i3 Membrane GmbH
IPC分类号： B01D15/36 , B01D15/38 , B01D15/42 , B01D63/08 , B01D69/14 , C07K1/18 , C07K1/24 , B01D69/12 , B01D71/02
CPC分类号： B01D15/3885 , B01D15/424 , B01D15/361 , C07K1/24
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9.发明公开PORÖSE METALLMEMBRAN HERGESTELLT MITTELS EDELGASIONENBESTRAHLUNG 审中-公开MANUFACTURED多孔金属膜进行采用稀有气体离子辐照
公开(公告)号：EP2866923A1
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：EP13736514.4
申请日：2013-06-28
CPC分类号： B01D67/006 , B01D67/0053 , B01D71/022 , B01D2323/00 , B01D2323/35 , H01M2/1646 , H01M8/0289
摘要： The present invention relates to a process for producing a porous metal membrane (pore size 10 nm and 1 µm), a metal membrane of this type, the use of the metal membrane and also corresponding filter modules. The porosity should be so high that it is significantly superior to the ion track process. Furthermore, the use of chemicals should be dispensed with where possible. The Dice is 1‑20 microns. According to the invention, the plasma immersion ion implantation process is utilized by bombarding a very thin metal foil with noble gas ions accelerated by means of a first accelerating voltage, in particular from both sides. The ion current is selected so that supersaturation occurs in the metal foil. Pores, in particular under the metal surface, are then formed by bubble segregation after supersaturation. Opening of the pores formed under the metal surface by ion implantation is effected by atomization of the surface by means of bombardment with noble gas ions using a second accelerating voltage which is lower than the first accelerating voltage.
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